IS42SM32200K-6BLI-TR

1. 物料型号： - IS42SM/RM/VM32200K：表示三种不同电压版本的移动同步动态随机存取存储器，分别为3.3V、2.5V和1.8V供电版本。

2. 器件简介： - 该产品为67,108,864位CMOS同步动态随机存取存储器，组织为4个银行，每个银行524,288字 x 32位。提供全同步操作，所有输入和输出与时钟信号的上升沿同步。

3. 引脚分配： - CLK：系统时钟输入。 - CKE：时钟使能，控制内部时钟信号。 - /CS：芯片选择，启用/禁用除了CLK、CKE和DQM之外的所有输入。 - BA0~BA1：银行地址，选择要激活的银行。 - A0~A10：地址，包括行地址和列地址。 - /RAS、/CAS、/WE：分别为行地址选通、列地址选通和写使能。 - DQMO~DQM3：数据输入/输出掩码，控制读模式下的输出缓冲和写模式下输入数据的掩码。 - DQ0~DQ31：数据输入/输出，数据的输入输出引脚。 - VDD/VSS：电源/地。 - VDDQ/VSSQ：数据输出电源/地。

4. 参数特性： - 支持JEDEC标准的3.3V、2.5V和1.8V电源供电。 - 自动刷新和自刷新功能。 - 所有引脚与LVCMOS接口兼容。 - 4K刷新周期/64ms。 - 可编程突发长度和突发类型。 - 可编程CAS延迟：2、3个时钟周期。 - 所有输入和输出参考系统时钟的正边沿。 - 数据掩码功能（DQM）。 - 内部4银行操作。 - 突发读取单次写入操作。 - 特殊功能支持，包括部分阵列自刷新（PASR）、自动温度补偿自刷新（TCSR）、可编程驱动强度控制等。

5. 功能详解： - 该SDRAM以突发方式进行读写访问，可通过编程设置突发长度和突发类型，支持连续和交错突发模式。 - 支持自动预充电和控制预充电。 - 支持多种低功耗模式，包括温度补偿自刷新、部分阵列自刷新和深度功耗降低模式。

6. 应用信息： - 适用于移动设备和其他需要低功耗同步DRAM的应用。

7. 封装信息： - 90球FBGA封装，无铅。