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IS43DR16320E-25DBLI

IS43DR16320E-25DBLI

  • 厂商:

    ISSI(芯成半导体)

  • 封装:

    TWBGA84_8X12.5MM

  • 描述:

    IC DRAM 512MBIT PARALLEL 84TWBGA

  • 详情介绍
  • 数据手册
  • 价格&库存
IS43DR16320E-25DBLI 数据手册
IS43DR16320E-25DBLI
物料型号: - IS43/46DR86400E:64Mx8 DDR2 DRAM - IS43/46DR16320E:32Mx16 DDR2 DRAM

器件简介: - 这些是DDR2 SDRAM内存芯片,具有高速双数据速率架构,可在每个时钟周期内传输两个数据字。

引脚分配: - 芯片有60球BGA和84球BGA两种封装,具体引脚功能包括时钟输入(CK, CK)、时钟使能(CKE)、片选(CS)、ODT控制(ODT)、命令输入(RAS, CAS, WE)、数据掩码输入(DM)、银行地址输入(BA0-BA1)、地址输入(A0-A13)、数据输入/输出(DQ0-DQ7或DQ0-DQ15)等。

参数特性: - 工作电压Vdd=1.8V,Vddq=1.8V - 支持JEDEC标准的1.8V I/O - 双数据速率接口,每个时钟周期两次数据传输 - 差分数据存取(DQS, DQS) - 4位预取架构 - 片上DLL用于对齐DQ和DQS与CK - 支持4个内部银行同时操作 - 可编程CAS延迟(CL) 3, 4, 5, 6 - 支持POST CAS和可编程的附加延迟(AL) 0, 1, 2, 3, 4, 5 - 写延迟等于读延迟减1个tCK - 可编程突发长度:4或8 - 可调数据输出驱动强度,全强度和减量强度选项 - 片上终止(ODT)

功能详解: - DDR2 SDRAM的读写访问是突发导向的,从选定位置开始,以程序化的顺序继续进行,突发长度为4或8。 - 访问开始于激活命令的注册,然后是读或写命令。 - 在正常操作之前,DDR2 SDRAM必须初始化。

应用信息: - 这些DDR2 SDRAM适用于需要高速数据传输和高容量内存的电子系统。

封装信息: - 提供60球BGA和84球BGA封装选项,具体尺寸和球间距在文档中有详细描述。
IS43DR16320E-25DBLI 价格&库存

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IS43DR16320E-25DBLI
  •  国内价格
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库存:6