物料型号:
- IS43/46R86400D
- IS43/46R16320D
- IS43/46R32160D
器件简介:
这些是ISSI生产的512Mb DDR SDRAM存储器,具有高速数据传输能力,使用流水线架构和每个时钟周期两次数据字访问。内部组织为四个128Mb的存储库,允许同时操作。
引脚分配:
- VDD和VDDQ:电源电压引脚
- BA0, BA1:存储库地址引脚
- A0-A12:行地址输入引脚
- DQ0-DQ31:数据I/O引脚
- CK, CK:系统时钟输入引脚
- CKE:时钟使能引脚
- CS:芯片选择引脚
- RAS、CAS、WE:命令输入引脚
- DM0-DM3:数据写入掩码引脚
- DQS0-DQS3:数据存贮引脚
参数特性:
- 工作电压:2.5V ± 0.2V (-6) 或 2.6V ± 0.1V (-5)
- 接口:SSTL_2兼容I/O
- 数据传输:双数据速率架构,每个时钟周期两次数据传输
- CAS延迟:可编程CAS延迟2, 2.5和3
- 刷新模式:自动刷新和自刷新模式
功能详解:
- 流水线架构允许读写突发访问几乎连续进行,可以选择连接或截断突发。
- 可编程特性包括突发长度、突发序列和CAS延迟。
- 提供自动刷新模式和自刷新模式。
- 所有I/O都与SSTL_2兼容。
应用信息:
这些存储器适用于需要高速数据传输和高可靠性的应用场景。
封装信息:
- 144球BGA (x32)
- 66引脚TSOP-II (x8, x16)
- 60球BGA (x8, x16)
- 无铅封装
- 温度范围:商业级(0°C至+70°C)、工业级(-40°C至+85°C)、汽车级A1(-40°C至+85°C)、汽车级A2(-40°C至+105°C)