物料型号:
- IS42R86400F/16320F
- IS45R86400F/16320F
- IS42S86400F/16320F
- IS45S86400F/16320F
器件简介:
这些是ISSI生产的512Mb SDRAM存储器,具有高速数据传输能力,使用流水线架构,所有输入和输出信号都参照时钟信号的上升沿。这些SDRAM器件内部配置为四银行动态随机存取存储器,具有同步接口。
引脚分配:
- 54-pin TSOP-II和54-ball TF-BGA封装,具体引脚功能包括数据I/O、行地址输入、列地址输入、银行选择地址、系统时钟输入、时钟使能、芯片选择、行地址脉冲命令、列地址脉冲命令等。
参数特性:
- 时钟频率:200/166/143 MHz
- 工作电压:Vdd/Vddq = 2.3V-3.6V(IS42/45SxxxxxF),3.3V(IS42/45RxxxxxF),2.5V
- LVTTL接口
- 可编程突发长度:1, 2, 4, 8, 全页
- 可编程突发序列:顺序/交错
- 自动刷新(CBR)
- 自我刷新
- 随机列地址访问:每个时钟周期一次
功能详解:
- 512Mb SDRAM具有在高数据速率下同步突发数据的能力,具有自动列地址生成、在内部银行之间交错以隐藏预充电时间,以及在突发访问期间的每个时钟周期内随机更改列地址的功能。
应用信息:
- 提供商业(0°C至+70°C)、工业(-40°C至+85°C)、汽车A1(-40°C至+85°C)和汽车A2(-40°C至+105°C)温度范围的产品。
封装信息:
- 54-pin TSOP-II封装和54-ball TF-BGA封装,具体封装细节和尺寸在文档中有详细描述。