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IS45S32200L-6TLA2

IS45S32200L-6TLA2

  • 厂商:

    ISSI(芯成半导体)

  • 封装:

    TSOP86-II

  • 描述:

    IC DRAM 64MBIT PAR 86TSOP II

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IS45S32200L-6TLA2 数据手册
IS45S32200L-6TLA2 AI解析
物料型号: - IS42S32200L - IS45S32200L

器件简介: ISSI的64Mb同步动态随机存取存储器(IS42/45S32200L)是一种高速CMOS动态随机存取存储器,设计用于在3.3V的内存系统中运行,包含67,108,864位。内部配置为具有同步接口的四银行DRAM,所有信号都在时钟信号CLK的正边沿注册。

引脚分配: - A0-A10:行地址输入 - BA0, BA1:银行选择地址 - DQ0 to DQ31:数据输入/输出 - CLK:系统时钟输入 - CKE:时钟使能 - CS:芯片选择 - RAS:行地址脉冲命令 - CAS:列地址脉冲命令 - WE:写使能 - DQM0-DQM3:32位输入/输出掩码 - VDD:电源 - Vss:地 - VDDQ:I/O引脚电源 - VssQ:I/O引脚地 - NC:无连接

参数特性: - 时钟频率:200, 166, 143, 133 MHz - 完全同步;所有信号参考正时钟边沿 - 内部银行用于隐藏行访问/预充电 - 单3.3V电源供应 - LVTTL接口 - 可编程突发长度:(1, 2, 4, 8, 满页) - 可编程突发序列:连续/交错 - 自我刷新模式 - 4096个刷新周期每16ms(A2等级)或64ms(商业、工业、A1等级) - 每个时钟周期随机列地址 - 可编程CAS延迟(2, 3个时钟)

功能详解: - 64Mb SDRAM包括自动刷新模式和节能的电源下降模式。所有信号都在时钟信号CLK的正边沿注册。64Mb SDRAM能够通过自动列地址生成以高数据速率同步突发数据,能够在内部银行之间交错以隐藏预充电时间,并能够在突发访问期间的每个时钟周期内随机更改列地址。

应用信息: - 该产品不推荐用于生命支持应用,除非在故障或故障情况下,产品的失败或故障可以合理地预期会导致生命支持系统的失败,或者显著影响其安全性或有效性。

封装信息: - 86引脚TSOP-II - 90球TF-BGA - 操作温度范围:商业(0°C至+70°C)、工业(-40°C至+85°C)、汽车等级A1(-40°C至+85°C)、汽车等级A2(-40°C至+105°C)
*介绍内容由AI识别生成
IS45S32200L-6TLA2 价格&库存

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