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ISSI(芯成半导体)
TFBGA90
256Mb Synchronous DRAM是一款高速CMOS动态随机访问存储器,设计用于3.3V VDD和3.3V Vpp系统。内部配置为四bankDRAM,每个bank有67,108,864位,组...
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很抱歉,暂时无法提供与“IS45S32800J-6BLA1”相匹配的价格&库存,您可以联系我们找货
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