IS46DR16128A-3DBLA2-TR

IS43/46DR16128A  NOVEMBER 2013  2Gb (x16) DDR2 SDRAM FEATURES  Clock frequency up to 333MHz  8 internal banks for concurrent operation  4­bit prefetch architecture  Programmable CAS Latency: 3, 4, 5, 6 and 7  Programmable Additive Latency: 0, 1, 2, 3, 4, 5  and 6  Write Latency = Read Latency­1  Programmable Burst Sequence: Sequential or  Interleave  Programmable Burst Length: 4 and 8  Automatic and Controlled Precharge Command  Power Down Mode  Auto Refresh and Self Refresh  Refresh Interval: 7.8  s (8192 cycles/64 ms)  ODT (On­Die Termination)  Weak Strength Data­Output Driver Option  OPTIONS    Bidirectional differential Data Strobe (Single­ ended data­strobe is an optional feature)  On­Chip DLL aligns DQ and DQs transitions with  CK transitions  DQS# can be disabled for single­ended data  strobe  Differential clock inputs CK and CK#  VDD and VDDQ = 1.8V ± 0.1V  PASR (Partial Array Self Refresh)  SSTL_18 interface  tRAS lockout supported  Operating temperature:  Commercial (TA = 0°C to 70°C ; TC = 0°C to 85°C)  Industrial (TA = ­40°C to 85°C; TC = ­40°C to 95°C)  Automotive, A1 (TA = ­40°C to 85°C; TC = ­40°C to 95°C) Automotive, A2 (TA = ­40°C to 105°C; TC = ­40°C to  105°C)   Configuration:  128Mx16 (two­stacked 16M x 8 x 8 banks)   Package:  84­ball LF­BGA  ADDRESS TABLE  Parameter  Row Addressing  Column Addressing  Bank Addressing  Precharge Addressing 128Mx16  A0­A13  A0­A9  BA0­BA2  A10  Clock Cycle Timing  Speed Grade  CL­tRCD­tRP  tCK (CL=3)  tCK (CL=4)  tCK (CL=5)  tCK (CL=6)  tCK (CL=7)  Frequency (max)  ­3D  Units DDR2­667D  5­5­5  5  3.75  3  3  3  333    tCK  ns  ns  ns  ns  ns  MHz  Copyright © 2013 Integrated Silicon Solution, Inc. All rights reserved. ISSI reserves the right to make changes to this specification and its products at any time without notice. ISSI assumes no liability arising out of the application or use of any information, products or services described herein. Customers are advised to obtain the latest version of this device specification before relying on any published information and before placing orders for products. Integrated Silicon Solution, Inc. does not recommend the use of any of its products in life support applications where the failure or malfunction of the product can reasonably be expected to cause failure of the life support system or to significantly affect its safety or effectiveness. Products are not authorized for use in such applications unless Integrated Silicon Solution, Inc. receives written assurance to its satisfaction, that: a.) the risk of injury or damage has been minimized; b.) the user assume all such risks; and c.) potential liability of Integrated Silicon Solution, Inc is adequately protected under the circumstances Integrated Silicon Solution, Inc. Rev. A 12/3/2013 www.issi.com 1 IS43/46DR16128A  DDR2 SDRAM (128Mx16) LF­BGA Ball­out (Top­View) (10.5mm x 13.5mm Body, 0.8mm pitch) 1 2 3 4 5 6 7 8 9 A B C D E F G H J K L M N P R Symbol Description CK, CK# Input clocks CKE Clock enable CS# Chip Select Command control inputs RAS#,CAS#,WE# A[13:0] BA[2:0] DQ[15:0] Bank Address I/O Upper Byte Data Strobe LDQS, LDQS# Lower Byte Data Strobe Input data mask VDD Supply voltage VSS Ground VDDQ DQ power supply VSSQ DQ ground VREF Reference voltage VDDL DLL power supply VSSDL DLL ground ODT On Die Termination Enable NC No connect Integrated Silicon Solution, Inc. Rev. A 12/3/2013 Note: VDDL and VSSDL are power and ground for the DLL.  Address UDQS, UDQS# UDM, LDM A13 www.issi.com 2 IS43/46DR16128A  Functional Description  Power­up and Initialization  DDR2 SDRAMs must be powered up and initialized in a predefined manner. Operational procedures other than those specified may  result in undefined operation.   Power­up and Initialization Sequence  The following sequence is required for Power­up and Initialization.  1. Either one of the following sequence is required for Power­up:  1 A. While applying power, attempt to maintain CKE below 0.2 x VDDQ and ODT  at a LOW state (all other inputs may be  undefined.)  The  VDD  voltage  ramp  time  must  be  no  greater  than  200  ms  from  when  VDD  ramps  from  300  mV  to  VDD(Min);  and  during  the  VDD  voltage  ramp,  |VDD­ complete (when VDDQ crosses VDDQ(Min)), the supply voltage specifications provided in the table  Recommended DC  Operating Conditions (SSTL_1.8), prevail. VDD, VDDL and VDDQ are driven from a single power converter output, AND  VTT is limited to 0.95V max, AND  VREF tracks VDDQ/2, VREF must be within ± 300mV with respect to VDDQ/2 during supply ramp time.  1 B. 2. 3. 4. 5. 6. 7. 8. 9. 10. 11. 12. 13. While applying power, attempt to maintain CKE below 0.2 x VDDQ and ODT  at a LOW state (all other inputs may be  undefined, voltage levels at I/Os and outputs must be less than VDDQ during voltage ramp time to avoid DRAM latch­ up. During the ramping of the supply voltages, VDD   VDDL   VDDQ must be maintained and is applicable to both AC  and DC levels until the ramping of the supply voltages is complete, which is when VDDQ crosses VDDQ min. Once the  ramping of the supply voltages is complete, the supply voltage specifications provided in the table  Recommended DC  Operating Conditions (SSTL­1.8), prevail.  Apply VDD/VDDL before or at the same time as VDDQ.  VDD/VDDL voltage ramp time must be no greater 200 ms from when VDD ramps from 300 mV to VDD(Min) .  Apply VDDQ before or at the same time as VTT.  The VDDQ voltage ramp time from  when  VDD(Min) is achieved on  VDD to the VDDQ(Min) is achieved  on  VDDQ  must be no greater than 500 ms.  Start clock and maintain stable condition.  For the minimum of 200 µs after stable power (VDD, VDDL, VDDQ, VREF, and VTT values are in the range of the minimum and  maximum values specified in the table Recommended DC Operating Conditions (SSTL­1.8)) and stable clock (CK, CK#), then apply  NOP or Deselect and assert a logic HIGH to CKE.  Wait minimum of 400 ns then issue a precharge all command. During the 400 ns period, a NOP or Deselect command must be  issued to the DRAM.  Issue an EMRS command to EMR(2).  Issue an EMRS command to EMR(3).  Issue EMRS to enable DLL.  Issue a Mode Register Set command for DLL reset.  Issue a precharge all command.  Issue 2 or more auto­refresh commands.  Issue a MRS command with LOW to A8 to initialize device operation. (i.e. to program operating parameters without resetting  the DLL.)  Wait at least 200 clock cycles after step 8 and then execute OCD Calibration. EMRS Default command (A9=A8=A7=HIGH)  followed by EMRS OCD Calibration Mode Exit command (A9=A8=A7=LOW) must be issued with other operating parameters of  EMR(1).  The DDR2 SDRAM is now ready for normal operation.  Note: 1. To guarantee ODT off, VREF must be valid and a LOW level must be applied to the ODT pin.  Integrated Silicon Solution, Inc. Rev. A 12/3/2013 www.issi.com 3 IS43/46DR16128A  Initialization Sequence after Power­Up Diagram  tCH tCL CK ~ ~ ~ ~ ~ ~ ~ ~ ~ ~ ~ ~ ~ ~ ~ ~ ~ ~ ~ ~ ~ ~ tIS CK# tIS ~ ODT Command NOP ~ 400ns ~ PRE ALL ~ ~ EMRS ~ tRP tMRD DLL Enable DLL Reset ~ MRS ~ ~ PRE ALL tMRD ~ tRP REF ~ ~ ~ ~ ~ REF tRFC Minimum 200 Cycles ~ tRFC ~ ~ MRS ~ tMRD OCD Default EMRS ~ ~ EMRS Follow OCD Flowchart ~ Any Com tOIT OCD Cal. Mode Exit Programming the Mode Register and Extended Mode Registers  For  application  flexibility,  burst  length,  burst  type,  CAS#  latency,  DLL  reset  function,  write  recovery  time  (WR)  are  user  defined  variables and must be programmed with a Mode Register Set (MRS) command. Additionally, DLL disable function, driver impedance,  additive CAS latency, ODT (On Die Termination), single­ended strobe, and OCD (off chip driver impedance adjustment) are also user  defined variables and must be programmed with an Extended Mode Register Set (EMRS) command. Contents of the Mode Register  (MR) or Extended Mode Registers EMR[1] and EMR[2] can be altered by re­executing the MRS or EMRS Commands. Even if the user  chooses  to  modify  only  a  subset  of  the  MR,  EMR[1],  or  EMR[2]  variables,  all  variables  within  the  addressed  register  must  be  redefined when the MRS or EMRS commands are issued.  MRS, EMRS and Reset DLL do not affect memory array contents, which mean re­initialization including those can be executed at any  time after power­up without affecting memory array contents.  DDR2 Mode Register (MR) Setting   The  mode  register  stores  the  data  for  controlling  the  various  operating  modes  of  DDR2  SDRAM.  It  controls  CAS#  latency,  burst  length, burst sequence, DLL reset, tWR and active power down exit time to make DDR2 SDRAM useful for various applications. The  default value of the mode register is not defined, therefore the mode register must be written after power­up for proper operation.  The mode register is written by asserting LOW on CS#, RAS#, CAS#, WE#, BA0, BA1, and BA2 while controlling the state of address  pins A0 ­ A13. The DDR2 SDRAM should be in all bank precharge with CKE already HIGH prior to writing into the mode register. The  mode register set command cycle time (tMRD) is required to complete the write operation to the mode register. The mode register  contents can be changed using the same command and clock cycle requirements during normal operation as long as all banks are in  the precharge state. The mode register is divided into various fields depending on functionality. Burst length is defined by A0  ­ A2  with options of 4 and 8 bit burst lengths. The burst length decodes are compatible with DDR SDRAM. Burst address sequence type is  defined by A3; CAS latency is defined by A4 ­  used for DLL reset. A7 must be set to LOW for normal MRS operation. Write recovery time tWR is defined by A9  ­ A11. Refer to the  table for specific codes.  Integrated Silicon Solution, Inc. Rev. A 12/3/2013 www.issi.com 4 IS43/46DR16128A  Mode Register (MR) Diagram  Address  Field BA2 BA1 BA0 A13(1) Mode  Register 0 0 0 0 A12 PD1 A11 A10 WR A9 A8 DLL A7 TM A6 A5 CAS  Latency A4 A3 BT A2 A1 Burst  Length A0 A12 0 1 Active power down exit time Fast exit (use tXARD) Slow exit(use tXARDS) A11 0 0 0 0 1 1 1 1 A10 0 0 1 1 0 0 1 1 A5 0 0 1 1 0 0 1 1 A7 0 1 Mode Normal Reserved CAS Latency Reserved Reserved Reserved 3 4 5 6 7 A4 0 1 0 1 0 1 0 1 Burst Type Sequential Interleave A3 0 1 A2 0 0 WR(cycles)(2) Reserved 2 3 4 5 6 7 8 DLL Reset No Yes A8 0 1 A6 0 0 0 0 1 1 1 1 A9 0 1 0 1 0 1 0 1 A1 1 1 A0 0 1 BL 4 8 Notes: 1. A13 is reserved for future use and must be set to 0 when programming the MR.  2. WR(write recovery for autoprecharge) min is determined by tCK max and WR max is determined by tCK min. WR in clock cycles is calculated by dividing tWR (in  ns) by tCK (in ns) and rounding up a non­integer value to the next integer (WR[cycles] = tWR(ns)/tCK(ns)). The mode register must be programmed to this value.  This is also used with tRP to determine tDAL.  DDR2 Extended Mode Register 1 (EMR[1]) Setting   The  extended  mode  register  1  stores  the  data  for  enabling  or  disabling  the  DLL,  output  driver  strength,  ODT  value  selection  and  additive  latency.  The  default  value  of  the  extended  mode  register  is  not  defined,  therefore  the  extended  mode  register  must  be  written after power­up for proper operation. Extended mode register 1 is written by asserting LOW on CS#, RAS#, CAS#, WE#, BA1,  and BA2, and HIGH on BA0, and controlling pins A0   A13. The DDR2 SDRAM should be in all bank precharge with CKE already HIGH  prior to writing into the extended mode register. The mode register set command cycle time (tMRD) must be satisfied to complete  the  write  operation  to  the  extended  mode  register.  Mode  register  contents  can  be  changed  using  the  same  command  and  clock  cycle requirements during normal operation as long as all banks are in the precharge state. A0 is used for DLL enable or disable. A1 is  used for enabling reduced strength data­output driver. A3 ­ A5 determines the additive latency, A2 and A6 are used for ODT value  selection, A7 ­ A9 are used for OCD control, A10 is used for DQS# disable and A11 is used for RDQS enable.  Integrated Silicon Solution, Inc. Rev. A 12/3/2013 www.issi.com 5 IS43/46DR16128A  DLL Enable/Disable  The DLL must be enabled for normal operation. DLL enable is required during power up initialization, and upon returning to normal  operation after having the DLL disabled. The DLL is automatically disabled when entering self refresh operation and is automatically  re­enabled upon exit of self refresh operation. Any time the DLL is enabled (and subsequently reset), 200 clock cycles must occur  before a Read command can be issued to allow time for the internal clock to be synchronized with the external clock. Failing to wait  for synchronization to occur may result in a violation of the tAC or tDQSCK parameters.  Extended Mode Register 1(EMR[1]) Diagram  Address  Field BA2 BA1 BA0 A13(1) Mode  Register 0 0 1 0 A12 Qoff A11 0 A10 DQS# A12 0 1 A11(2) 0 1 A10 0 1 A9 A8 OCD  Program A7 A6 Rtt A5 A4 Additive  Latency A3 A2 Rtt A1 D.I.C A0 DLL Qoff Output buffer enabled Ouput buffer disabled RDQS Enable Disable Enable DQS# Enable Disable A9 0 0 0 1 1 A8 0 0 1 0 1 A7 0 1 0 0 1 A5 0 0 0 0 1 1 1 1 A4 0 0 1 1 0 0 1 1 A3 0 1 0 1 0 1 0 1 A1 0 1 A11  (RDQS) 0 0 1 1 A10  (DQS#) 0 1 0 1 Strobe Function Matrix RDQS/DM RDQS# DQS DQS DM Hi­Z DQS DM Hi­Z RDQS RDQS# DQS Hi­Z DQS RDQS DQS# DQS# Hi­Z DQS# Hi­Z OCD Calibration Program OCD Calibration mode exit; maintain setting Reserved Reserved Reserved OCD Calibration default(2) Additive Latency 0 1 2 3 4 5 6 Reserved Output Drive Impedance Control Normal Strength (100%) Reduced strength (60%) A6 0 0 1 1 A0 0 1 A2 0 1 0 1 Rtt(NOMINAL) ODT Disabled 75 ohms 150 ohms 50 ohms DLL enable Enable Disable Notes: 1. A13 is reserved for future use and must be set to 0 when programming the EMR[1].  2. After setting to default, OCD calibration mode needs to be exited by setting A9­A7 to 000.  DDR2 Extended Mode Register 2 (EMR[2]) Setting  The extended mode register 2 controls refresh related features. The default value of the extended mode register 2 is not defined.  Therefore, the extended mode register must be programmed during initialization for proper operation. The extended mode register  2 is written by asserting LOW on CS, RAS, CAS, WE, BA0, BA2, and HIGH on BA1, while controlling pins A0­A13. The DDR2 SDRAM  should be in all bank precharge state with CKE already HIGH prior to writing into extended mode register 2. The mode register set  command  cycle  time  (tMRD)  must  be  satisfied  to  complete  the  write  operation  to  the  extended  mode  register  2.  Mode  register  contents can be changed using the same command and clock cycle requirements during normal operation as long as all banks are in  precharge state.  Integrated Silicon Solution, Inc. Rev. A 12/3/2013 www.issi.com 6 IS43/46DR16128A  Extended Mode Register 2 (EMR[2]) Diagram   Address Field BA2 Mode Register 0 BA1 1 BA0 0 A13(1) 0 A12(1) 0 A11(1) 0 A10(1) 0 A9(1) 0 A8(1) 0 A7 SRFt A6(1) 0 A5(1) 0 A4(1) 0 A3(1) 0 A2 A1 PASR High Temperature Self-Refresh Rate Enable A7 (3) A0 0 Disable 1 Enable(2) Partial Array Self Refresh for 8 Banks BA[2:0] 0 Full Array All combinations 000, 001, 010, 011 000, 001 A2 A1 A0 0 0 0 0 1 Half Array 0 1 0 Quarter Array 0 1 1 1/8 array 000 1 0 0 3/4 array 010, 011, 100, 101, 110, 111 1 0 1 Half array 100, 101, 110, 111 1 1 0 Quarter array 110, 111 1 1 1 1/8 array 111 Notes: 1. A3­A6, and A8­A13 are reserved for future use and must be set to 0 when programming the EMR[2].  2. Only Industrial and Automotive grade devices support the high temperature Self­Refresh Mode. The controller can set the EMR (2) [A7] bit to enable this self­ refresh rate if Tc > 85°C while in self­refresh operation. TOPER may not be violated.  3. If PASR (Partial Array Self Refresh) is enabled, data located in areas of the array beyond the specified address range will be lost if self refresh is entered. Data  integrity will be maintained if tREF conditions are met and no Self Refresh command is issued.  DDR2 Extended Mode Register 3 (EMR[3]) Setting  No function is defined in extended mode register 3. The default value of the extended mode register 3 is not defined. Therefore, the  extended mode register 3 must be programmed during initialization for proper operation.  DDR2 Extended Mode Register 3 (EMR[3]) Diagram  Note: All bits in EMR[3] except BA0 and BA1 are reserved for future use and must be set to 0 when programming the EMR[3].   Integrated Silicon Solution, Inc. Rev. A 12/3/2013 www.issi.com 7 IS43/46DR16128A  Truth Tables  Operation or timing that is not specified is illegal, and after such an event, in order to guarantee proper operation, the DRAM must  be powered down and then restarted through the specified initialization sequence before normal operation can continue.  Command Truth Table  Function (Extended) Mode Register Refresh (REF) Self Refresh Entry CKE Previous  Current  Cycle Cycle H H H H L H Sel Refresh Exit L H Single Bank Precharge Precharge All Banks Bank Activate Write Write with Auto Precharge Read Read with Auto Precharge No Operation (NOP) Device Deselect H H H H H H H H H H H H H H H H X X Power Down Entry H L Power Down Exit L H CS# RAS# CAS# WE# BA2­BA0 An(9)­A11 L L L H L L L L L L L L L H H L H L L L L X H L L L H H H H H X X H X H L L L X H H H H L L L L H X X H X H L H H X H L L H L L H H H X X H X H BA X X X X X X BA X BA BA BA BA BA X X X X X X X X 1,4 X X X X 1, 4 X X X X X X A10 Opcode X X X A9­A0 Notes X X 1, 2 1 1, 8 X 1, 7, 8 L X H X Row Address L Column H Column L Column H Column X X X X 1, 2 1 1, 2 1, 2, 3, 10 1, 2, 3, 10 1, 2, 3, 10 1, 2, 3, 10 1 1 Notes: 1. All DDR2 SDRAM commands are defined by states of CS#, RAS#, CAS#, WE# and CKE at the rising edge of the clock.  2. Bank addresses BA0, BA1, and BA2 (BA) determine which bank is to be operated upon. For (E)MRS BA selects an (Extended) Mode Register.  3. Burst reads or writes at BL=4 cannot be terminated or interrupted. See sections "Reads interrupted by a Read" and "Writes interrupted by a Write" for details.  4. The Power Down Mode does not perform any refresh operations. The duration of Power Down is therefore limited by the refresh requirements  5. The state of ODT does not affect the states described in this table. The ODT function is not available during Self Refresh.   6. 7. Self refresh exit is asynchronous.  8. VREF must be maintained during Self Refresh operation.  9. An refers to the MSBs of addresses, An=A13.  Integrated Silicon Solution, Inc. Rev. A 12/3/2013 www.issi.com 8 IS43/46DR16128A  Clock Enable (CKE) Truth Table  (3) (2) (1) (3) (1) Notes: 1. CKE (N) is the logic state of CKE at clock edge N; CKE (N 1) was the state of CKE at the previous clock edge.  2. Current state is the state of the DDR2 SDRAM immediately prior to clock edge N.  3. COMMAND (N) is the command registered at clock edge N, and ACTION (N) is a result of COMMAND (N).  4. All states and sequences not shown are illegal or reserved unless explicitly described elsewhere in this document.  5. On Self Refresh Exit, DESELECT or NOP commands must be issued on every clock edge occurring during the tXSNR period. Read commands may be issued only  after tXSRD (200 clocks) is satisfied.  6. Self Refresh mode can only be entered from the All Banks Idle state.  7. Must be a legal command as defined in the Command Truth Table.  8. Valid commands for Power Down Entry and Exit are NOP and DESELECT only.  9. Valid commands for Self Refresh Exit are NOP and DESELECT only.  10. Power  Down  and  Self  Refresh  cannot  be  entered  while  Read  or  Write  operations,  (Extended)  Mode  Register  Set  operations  or  Precharge  operations  are  in  progress.  11. tCKEmin of 3 clocks means CKE must be registered on three consecutive positive clock edges. CKE must remain at the valid input level the entire time it takes to  achieve the 3 clocks of registration. Thus, after any CKE transition, CKE may not transition from its valid level during the time period of tIS + 2 x tCK + tIH.  12. The state of ODT does not affect the states described in this table. The ODT function is not available during Self Refresh.  13. The Power Down does not perform any refresh operations. The duration of Power Down Mode is therefore limited by the refresh requirements outlined in this  datasheet.  14. CKE must be maintained HIGH while the DDRII SDRAM is in OCD calibration mode.  W in Power Down if the ODT  15. function is e 16. VREF must be maintained during Self Refresh operation.  Data Mask (DM) Truth Table  Note:  1. Used to mask write data, provided coincident with the corresponding data.  Integrated Silicon Solution, Inc. Rev. A 12/3/2013 www.issi.com 9 IS43/46DR16128A  Commands  DESELECT  The  DESELECT  function  (CS#  HIGH)  prevents  new  commands  from  being  executed  by  the  DDR2  SDRAM.  The  DDR2  SDRAM  is  effectively deselected. Operations already in progress are not affected. DESELECT is also referred to as COMMAND INHIBIT.  NO OPERATION (NOP)  The NO OPERATION (NOP) command is used to instruct the selected DDR2 SDRAM to perform a NOP (CS# is LOW; RAS#, CAS#, and  WE# are HIGH). This prevents unwanted commands from being registered during idle or wait states. Operations already in progress  are not affected.  LOAD MODE (LM)  The mode registers are loaded via bank address and address inputs. The bank address balls determine which mode register will  be  e idle,  and  a  subsequent executable command cannot be issued until tMRD is met.  ACTIVATE  The  ACTIVATE command  is  used  to open  (or  activate) a  row  in  a  particular  bank for  a  subsequent  access.  The  value  on  the  bank  address inputs determines the bank, and the address inputs select the row. This row will remains active (or open) for accesses until a  PRECHARGE command is issued to that bank. A PRECHARGE command must be issued before opening a different row in the same  bank.  READ The READ  command  is used to initiate a burst  read  access  to  an  active row. The  value on the bank address  inputs determine  the  bank, and the address provided on address inputs A0 A9 selects the starting column location. The value on input A10 determines  whether or not auto precharge is used. If auto precharge is selected, the row being accessed will be precharged at the end of the  READ burst; if auto precharge is not selected, the row will remain open for subsequent accesses. DDR2 SDRAM also supports the AL  feature,  which  allows  a  READ  or  WRITE  command  to  be  issued  prior  to  tRCD(Min)  by  delaying  the  actual  registration  of  the  READ/WRITE command to the internal device by AL clock cycles.  WRITE  The WRITE command is used to initiate a burst write access to an active row. The value on the bank select inputs selects the bank,  and the address provided on inputs A0 A9 selects the starting column location. The value on input A10 determines whether or not  auto precharge is used. If auto precharge is selected, the row being accessed will be precharged at the end of the WRITE burst; if  auto precharge is not selected, the row will remain open for subsequent accesses.  DDR2 SDRAM also supports the AL feature, which allows a READ or WRITE command to be issued prior to tRCD(MIN) by delaying the  actual registration of the READ/WRITE command to the internal device by AL clock cycles. Input data appearing on the DQ is written  to the memory array subject to the DM input logic level appearing coincident with the data. If a given DM signal is registered LOW,  the corresponding data will be written to memory; if the DM signal is registered HIGH, the corresponding data inputs will be ignored,  and a WRITE will not be executed to that byte/column location.  PRECHARGE  The PRECHARGE command is used to deactivate the open row in a particular bank or the open row in all banks. The bank(s) will be  available  for  a  subsequent  row  activation  a  specified  time  (tRP)  after  the  PRECHARGE  command  is  issued,  except  in  the  case  of  concurrent auto precharge, where a READ or WRITE command to a different bank is allowed as long as it does not interrupt the data  transfer in the current bank and does not violate any other timing parameters. After a bank has been precharged, it is in the idle  state and must be activated prior to any READ or WRITE commands being issued to that bank. A PRECHARGE command is allowed if  there is no open row in that bank (idle state) or if the previously open row is already in the process of precharging. However, the  precharge period will be determined by the last PRECHARGE command issued to the bank.  REFRESH  REFRESH is used during normal operation of the DDR2 SDRAM and is analogous to CAS#­before­RAS# (CBR) REFRESH. All banks must  be in the idle mode prior to issuing a REFRESH command. This command is nonpersistent, so it must be issued each time a refresh is  Integrated Silicon Solution, Inc. Rev. A 12/3/2013 www.issi.com 10 IS43/46DR16128A  REFRESH command.  SELF REFRESH  The SELF REFRESH command can be used to retain data in the DDR2 SDRAM, even if the rest of the system is powered down. When  in the self refresh mode, the DDR2 SDRAM retains data without external clocking. All power supply inputs (including VREF) must be  maintained at valid levels upon entry/exit and during SELF REFRESH operation.  The  SELF  REFRESH  command  is  initiated  like  a  REFRESH  command  except  CKE  is  LOW.  The  DLL  is  automatically  disabled  upon  entering self refresh and is automatically enabled upon exiting self refresh.  ODT (On­Die Termination)  The On­Die Termination feature allows the DDR2 SDRAM to easily implement an internal termination resistance (Rtt). ODT can be  configured  for  DQ[15:0],  UDQS,  LDQS,  UDQS#,  LDQS#,  and  UDM,  and  LDM  signals.  The  ODT  feature  can  be  configured  with  the  Extended Mode Register Set (EMRS) command, and turned on or off using the ODT input signal. Before and after the EMRS is issued,  the ODT input must be received with respect to the timings of tAOFD, tMOD(max), tAOND; and the CKE input must be held HIGH  throughout the duration of tMOD(max).  The  DDR2  SDRAM supports  the  ODT  on and  off  functionality in  Active,  Standby,  and  Power  Down  modes,  but not in  Self  Refresh  mode. ODT timing diagrams follow for Active/Standby mode and Power Down mode.  EMRS to ODT Update Delay  CK# CK ~ Command ~ ODT ~ ~ EMRS NOP NOP NOP NOP tIS tMOD(Max) tAOFD Rev. A 12/3/2013 NOP ~ tAOND tMOD(Min) Old Setting Integrated Silicon Solution, Inc. ~ ODT Ready www.issi.com Updated 11 IS43/46DR16128A  ODT Timing for Active/Standby (Idle) Mode and Standard Active Power­Down Mode  0 CK# CK 1 2 3 4 5 6 7 ~ tIS CKE ~ tIS tIS ODT tANPD VIH(AC) ~ VIL(AC) tAXPD Internal Term. Resistance tIS tAOFD tAOND ~ RTT tAOF(Min) tAON(Min) tAOF(Max) tAON(Max) Notes: 1. Both ODT to Power Down Entry and Exit Latency timing parameter tANPD and tAXPD are met, therefore Non­Power Down Mode timings have to be applied.  2. ODT turn­on time, tAON(Min) is when the device leaves high impedance and ODT resistance begins to turn on. ODT turn on time max, tAON(Max) is when the  ODT resistance is fully on. Both are measured from tAOND.  3. ODT turn off time min, tAOF(Min), is when the device starts to turn off the ODT resistance. ODT turn off time max, tAOF(Max) is when the bus is in high  impedance. Both are measured from tAOFD. ODT Timing for Precharge Power­Down Mode  0 1 2 3 4 5 6 7 8 CK# CK CKE tAXPD tIS ODT tIS tANPD VIH(AC) VIL(AC) tAOFD (Max) tAOFD (Min) Internal Term. Resistance tAONPD(Min) RTT tAONPD(Max) Note: Both ODT to Power Down Endtry and Exit Latencies tANPD and tAXPD are not met, therefore Power­Down Mode timings have to be applied. Integrated Silicon Solution, Inc. Rev. A 12/3/2013 www.issi.com 12 IS43/46DR16128A  Absolute Maximum DC Ratings  Symbol  Parameter  Rating  Units  Notes  VDD  Voltage on VDD pin relative to Vss  ­1.0 to 2.3  V  1, 3  VDDQ  Voltage on VDDQ pin relative to Vss  ­ 0.5 to 2.3  V  1, 3  VDDL  Voltage on VDDL pin relative to Vss  ­ 0.5 to 2.3  V  1, 3  Vin, Vout  Voltage on any pin relative to Vss  ­ 0.5 to 2.3  V  1, 4  Tstg  Storage Temperature  ­55 to +150  °C  1, 2  II   Input Leakage Current  ­5 to 5  uA  4  Ioz  Output Leakage Current  ­5 to 5   uA  4  IVREF  VREF Leakage Current  ­2 to 2  uA  3  Notes: permanent damage to the device. This is a stress rating only and functional  1. operation of the device at these or any other conditions above those indicated in the operational sections of this specification is not implied. Exposure to  absolute maximum rating conditions for extended periods may affect reliability.  2. Storage Temperature is the case surface temperature on the center/top side of the DRAM.  3. VDD and VDDQ must be within 300mV of each other at all times; and VREF must be not greater than 0.6 x VDDQ. When VDD and VDDQ and VDDL are less than  500mV, VREF may be equal to or less than 300mV.  4. Voltage on any input or I/O may not exceed voltage on VDDQ.  AC and DC Operating Conditions  Recommended DC Operating Conditions (SSTL_1.8)  Symbol   Parameter  VDD  Rating  Units   Notes  1.9  V  1  1.8  1.9  V  5  1.7  1.8  1.9  V  1, 5  0.49*VDDQ  VREF­0.04  0.50*VDDQ  VREF  0.51*VDDQ  VREF+0.04  V  V  2, 3  4  Min.   Typ.   Max.  Supply Voltage  1.7  1.8  VDDL  Supply Voltage for DLL  1.7  VDDQ  Supply Voltage for Output  VREF  VTT  Input Reference Voltage  Termination Voltage  Notes: 1. There is no specific device VDD supply voltage requirement for SSTL_1.8 compliance. However, under all conditions VDDQ must be less than or equal to VDD.  2. The value of VREF may be selected by the user to provide optimum noise margin in the system. Typically the value of VREF is expected to be about 0.5 x VDDQ  of the transmitting device and VREF is expected to track variations in VDDQ.  3. Peak to peak AC noise on VREF may not exceed +/­2% VREF(DC).  4. VTT of transmitting device must track VREF of receiving device.  5. AC parameters are measured with VDD, VDDQ and VDDL tied together.  Operating Temperature Condition (1, 2, 3) Symbol  TOPER  TOPER  TOPER  Parameter  Commercial Operating Temperature  Industrial Operating Temperature, Automotive Operating Temperature (A1)  Automotive Operating Temperature (A2)  Rating  Tc = 0 to 85, Ta = 0 to 70  Tc = ­40 to 95, Ta = ­40 to 85  Tc = ­40 to 105, Ta = ­40 to 105  Units °C  °C  °C  Notes: 1. Tc = Operating case temperature at center of package.  2. Ta = Operating ambient temperature immediately above package center.  3. Both temperature specifications must be met.  Thermal Resistance  Package  84­ball  Substrate Theta­ja   (Airflow = 0m/s)  Theta­ja   (Airflow = 1m/s)  Theta­ja   (Airflow = 2m/s)  Theta­jc  Units  4­layer  29.8  27.2  25.1  5.8  C/W  Integrated Silicon Solution, Inc. Rev. A 12/3/2013 www.issi.com 13 IS43/46DR16128A  AC and DC Logic Input Levels  Single­ended DC Input Logic Level  Symbol  VIH(DC)   VIL(DC)   Parameter  DC input logic HIGH  DC input logic LOW  Min.  VREF + 0.125  ­ 0.3   Max.   VDDQ + 0.3 V  VREF ­ 0.125  Units  V  V  Notes      Single­ended AC Input logic level  Symbol   Parameter  VIH(AC)   VIL(AC)   DDR2­533  Min.   Max.  AC input logic HIGH  VREF + 0.250  AC input logic LOW  VSSQ ­ Vpeak  DDR2­667  Units  Min.   Max.  VDDQ + Vpeak  VREF + 0.200  VDDQ + Vpeak  V  VREF ­ 0.250  VSSQ ­ Vpeak  VREF ­ 0.200  V  Note: Refer to Overshoot and Undershoot Specification for Vpeak value: maximum peak amplitude allowed for overshoot and undershoot.  AC Input Test Conditions  Symbol  VREF VREF SLEW Condition  Input reference voltage  Input signal maximum peak to peak swing  Input signal minimum slew rate  Value  0.5 x VDDQ  1.0  1.0  Units  V  V  V/ns  Notes  1  1  2, 3   Notes: 1. Input waveform timing is referenced to the input signal crossing through the VIH/IL(AC) level applied to the device under test.  2. The input signal minimum slew rate is to be maintained over the range from VREF to VIH(AC) min for rising edges and the range from VREF to VIL(AC) max for  falling edges as shown in the below figure.  3. AC timings are referenced with input waveforms switching from VIL(AC) to VIH(AC) on the positive transitions and VIH(AC) to VIL(AC) on the negative transitions.  AC Input Test Signal Waveform  Differential Input AC logic level  Symbol  VID(AC)   VIX(AC)   Parameter  AC differential input voltage  AC differential crosspoint voltage  Min.  0.5  0.5*VDDQ­0.175   Max.  VDDQ  0.5*VDDQ+0.175  Units  V  V  Notes  1, 3  2  Notes: 1. VID(AC) specifies the input differential voltage |VTR ­VCP | required for switching, where VTR is the true input signal (such as CK, DQS, LDQS or UDQS) and VCP  is the complementary input signal (such as CK#, DQS#, LDQS# or UDQS#). The minimum value is equal to V IH(AC) ­ V IL(AC).  2. The typical value of VIX(AC) is expected to be about 0.5 x VDDQ of the transmitting device and VIX(AC) is expected to track variations in VDDQ. VIX(AC) indicates  the voltage at which differential input signals must cross.  3. Refer to Overshoot and Undershoot Specifications for Vpeak value: maximum peak amplitude allowed for overshoot and undershoot.  Integrated Silicon Solution, Inc. Rev. A 12/3/2013 www.issi.com 14 IS43/46DR16128A  Differential Signal Level Waveform Differential AC Output Parameters  Symbol  VOX(AC)   Parameter  AC differential crosspoint voltage  Min.  0.5 x VDDQ­0.125   Max.  0.5 x VDDQ+0.125  Units  V  Note: The typical value of VOX(AC) is expected to be about 0.5 x VDDQ of the transmitting device and VOX(AC) is expected to track variations in VDDQ. VOX(AC)  indicates the voltage at which differential output signals must cross.  Overshoot and Undershoot Specification  AC Overshoot and Undershoot Specification for Address and Control Pins  Parameter  Maximum peak amplitude allowed for overshoot area  Maximum peak amplitude allowed for undershoot area * Maximum overshoot area above VDD   * Maximum undershoot area below VSS   DDR2­533  0.5  0.5  0.8  0.8  DDR2­667  0.5  0.5  0.8  0.8  Unit  V  V  V­ns  V­ns  Note: Please refer to AC Overshoot and Undershoot Definition Diagram.  AC Overshoot and Undershoot Specification for Clock, Data, Strobe and Mask Pins  Parameter  Maximum peak amplitude allowed for overshoot area  Maximum peak amplitude allowed for undershoot area Maximum overshoot area above VDDQ*  Maximum undershoot area below VSSQ*  DDR2­533  0.5  0.5  0.23  0.23  DDR2­667  0.5  0.5  0.23  0.23  Unit  V  V  V­ns  V­ns  Note: Please refer to AC Overshoot and Undershoot Definition Diagram.  AC Overshoot and Undershoot Definition Diagram  Integrated Silicon Solution, Inc. Rev. A 12/3/2013 www.issi.com 15 IS43/46DR16128A  Output Buffer Characteristics  Output AC Test Conditions  Symbol  VOTR Parameter  Output Timing Measurement Reference Level  SSTL_18  0.5 x VDDQ  Units  V  Note: The VDDQ of the device under test is referenced.  Output DC Current Drive  Symbol  IOH(DC)  IOL(DC)  Parameter  Output Minimum Source DC Current  Output Minimum Sink DC Current  SSTL_18  13.4  ­13.4  Units  mA  mA  Notes  1, 3, 4  2, 3, 4  Notes: 1. VDDQ = 1.7 V; VOUT = 1420 mV. (VOUT ­ VDDQ)/IOH must be less than 21  for values of VOUT between VDDQ and VDDQ ­ 280 mV.  2. VDDQ = 1.7 V; VOUT = 280 mV. VOUT/IOL must be less than 21  for values of VOUT between 0 V and 280 mV.  3. The dc value of VREF applied to the receiving device is set to VTT  4. The values of IOH(DC) and IOL(DC) are based on the conditions given in Notes 1 and 2. They are used to test device drive current capability to ensure VIH min  plus a noise margin and VIL max minus a noise margin are delivered to an SSTL_18 receiver. The actual current values are derived by shifting the desired driver  operating point (see Section 3.3 of JESD8­15A) along a 21  load line to define a convenient driver current for measurement.  Output Capacitance  Paramater  Input Capacitance (CK and CK#)  Input Capacitance Delta (CK and CK#)  Input Capacitance (all other input­only pins)  Input Capacitance Delta (all other input­only  pins) I/O Capacitance (DQ, DM, DQS, DQS#)  I/O Capacitance Delta (DQ, DM, DQS, DQS#)  Integrated Silicon Solution, Inc. Rev. A 12/3/2013 Symbol CCK  CDCK  CI  ­37C (DDR2­533C)  Min  Max  1.00  2.00    0.25  1.00  2.00  ­3D (DDR2­667D)  Min  Max  1.00  2.00    0.25  1.00  2.00  Units pF  pF  pF  CDI    0.25    0.25  pF  CIO  CDIO  2.50    4.00  0.50  2.50    3.50  0.50  pF  pF  www.issi.com 16 IS43/46DR16128A  ODT DC Electrical Characteristics  Parameter/Condition  Rtt effective impedance value for EMRS(A6=0, A2=1); 75 ohm  Rtt effective impedance value for EMRS(A6=1, A2=0); 150 ohm  Rtt effective impedance value for EMRS(A6=A2=1); 50 ohm  Deviation of VM with respect to VDDQ/2  Symbol  Rtt1(eff)  Rtt2(eff)  Rtt3(eff)  Delta VM Min.  60  120  40  ­6  Nom.  75  150  50      Max.  90  180  60  +6  Units  ohms  ohms  ohms  %   Notes  1  1  1  2  Note: 1. Measurement Definition for Rtt(eff):  Apply VIHac and VILac to test pin seperately, then measure current I(VIHac) and I(VILac) respectively  2. Measurement Defintion for VM:  Measure voltage (VM) at test pin (midpoint) with no load:  ODT AC Electrical Characteristics and Operating Conditions  Symbol  tAOND  tAON  tAONPD tAOFD  tAOF  tAOFPD  tANPD  tAXPD  Parameter/Condition  ODT turn­on delay  ODT turn­on  ODT turn­on (Power­Down Mode)  ODT turn­off delay  ODT turn­off  ODT turn­off (Power­Down Mode)  ODT to Power­Down Mode Entry L:atency  ODT Power Down Exit Latency  Min.  2  tAC(Min)  tAC(Min)+2ns  2.5  tAC(Min)  tAC(Min)+2ns  3  8   Max.  2  tAC(Max)+0.7ns  2tCK+tAC(Max)+1ns  2.5  tAC(Max)+0.6ns  2.5tCK+tAC+1ns      Units  tCK  ns  ns  tCK  ns  ns  tCK  tCK  Notes    1  3    2  3  4  4  Notes: 1. 2. 3. 4. ODT turn on time min is when the device leaves high impedance and ODT resistance begins to turn on. ODT turn on time max is when the ODT resistance is fully  on. Both are measured from tAOND.  ODT turn off time min is when the device starts to turn­off ODT resistance. ODT turn off time max is when the bus is in high impedance. Both are measured from  tAOFD.  ­down timings (tAOND, tAON, tAOFD and tAOF) apply.  For Standard Active Power­Down (with  tANPD an d tAXPD define the timing limit when either Power Down Mode Timings (tAONPD, tAOFPD) or Non­Power Down Mode timings (tAOND, tAOFD) have  to be applied  Integrated Silicon Solution, Inc. Rev. A 12/3/2013 www.issi.com 17 IS43/46DR16128A  IDD Specifications and Conditions IDD Measurement Conditions  Symbol Parameter/Condition  Operating Current ­ One bank Active ­ Precharge: IDD0 tCK = tCK(IDD), tRC = tRC(IDD), tRAS = tRASmin(IDD); CKE is HIGH, CS# is HIGH between valid commands; Address bus inputs are SWITCHING; Data bus inputs are SWITCHING. IDD1 IOUT = 0mA; BL = 4, CL = CL(IDD), AL = 0; tCK = tCK(IDD), tRC = tRC(IDD), tRAS = tRASmin(IDD), tRCD = tRCD(IDD); CKE is HIGH, CS# is HIGH between valid commands; Address bus inputs are SWITCHING; Data pattern is same as IDD4W Operating Current ­ One bank Active ­ Read ­ Precharge:  IDD2P  IDD2Q IDD2N Precharge Power­Down Current:  All banks idle; tCK = tCK(IDD); CKE is LOW; Other control and address bus inputs are STABLE; Data bus inputs are FLOATING Precharge Quiet Standby Current:   All banks idle; tCK = tCK(IDD); CKE is HIGH, CS# is HIGH; Other control and address bus inputs are STABLE; Data bus inputs are FLOATING Precharge Standby Current:   All banks idle; tCK = tCK(IDD); CKE is HIGH, CS# is HIGH; Other control and address bus inputs are SWITCHING; Data bus inputs are SWITCHING Active Power­Down Current:   IDD3Pf All banks open; tCK = tCK(IDD); CKE is LOW; Other control and address bus inputs are STABLE; Data bus inputs are FLOATING . MRS A12 bit is set to  ­down Exit). Active Power­Down Current:   IDD3Ps All banks open; tCK = tCK(IDD); CKE is LOW; Other control and address bus inputs are STABLE; Data bus inputs are FLOATING . MRS A12 bit is set to  ­down Exit).  Active Standby Current:  IDD3N All banks open; tCK = tCK(IDD), tRAS = tRASmax(IDD), tRP = tRP(IDD); CKE is HIGH, CS# is HIGH between valid commands; Other control and address bus inputs are SWITCHING; Data bus inputs are SWITCHING. Operating Current ­ Burst Read:  IDD4R All banks open, Continuous burst reads, IOUT = 0 mA; BL = 4, CL = CL(IDD), AL = 0; tCK = tCK(IDD), tRAS = tRASmax(IDD), tRP = tRP(IDD); CKE is HIGH, CS# is HIGH between valid commands; Address bus inputs are SWITCHING; Data pattern is same as IDD4W Operating Current ­ Burst Write:   IDD4W  All banks open, Continuous burst writes; BL = 4, CL = CL(IDD), AL = 0; tCK = tCK(IDD), tRAS = tRASmax(IDD), tRP = tRP(IDD); CKE is HIGH, CS is HIGH between valid commands; Address bus inputs are SWITCHING; Data bus inputs are SWITCHING. Burst Auto­Refresh Current:   IDD5B tCK = tCK(IDD); Refresh command at every tRFC(IDD) interval; CKE is HIGH, CS# is HIGH between valid commands; Other control and address bus inputs are SWITCHING; Data bus inputs are SWITCHING. Distributed Refresh Current:   IDD5D tCK = tCK(IDD); Refresh command frequency satisfying tREFI; CKE is HIGH, CS# is HIGH between valid commands; Other control and address bus inputs are SWITCHING; Data bus inputs are SWITCHING. IDD6 IDD7 Self­Refresh Current:   CK and CK# at 0 V; CKE 0.2 V; Other control and address bus inputs are FLOATING; Data bus inputs are FLOATING . Operating Bank Interleave Read Current:  All bank interleaving reads, IOUT = 0mA; BL = 4, CL = CL(IDD), AL = tRCD(IDD) ­ 1 x tCK(IDD); tCK = tCK(IDD), tRC = tRC(IDD), tRRD = tRRD(IDD), tFAW =  tFAW(IDD), tRCD = tRCD(IDD); CKE is HIGH, CS is HIGH between valid commands; Address bus inputs are STABLE during DESELECTs; Data pattern is same as  IDD4R;  Notes: 1. Data bus consists of DQ, DM, DQS, DQS#, RDQS, RDQS#, LDQS, LDQS#, UDQS, and UDQS#. IDD values must be met with all combinations of EMRS bits 10 and 11.  2. For DDR2­667/800 testing, tCK in the Conditions should be interpreted as tCK(avg).  3. Definitions for IDD:  a. LOW is defined as  b. c. STABLE = inputs stable at a HIGH or LOW level.  d. FLOATING = inputs at VREF = VDDQ/2.  e. SWITCHING = inputs changing between HIGH and LOW every other clock cycle (once per two clocks) for address and control signals, and inputs  changing between HIGH and LOW every other data transfer (once per clock) for DQ signals not including masks or strobes.  4. Legend: A=Activate, RA=Read with Auto­Precharge, D=DESELECT. Integrated Silicon Solution, Inc. Rev. A 12/3/2013 www.issi.com 18 IS43/46DR16128A  IDD Specifications  Symbol  ­3D  DDR2­667D  Units IDD0  IDD1  IDD2P IDD2N  IDD2Q  IDD3Pf  IDD3Ps  IDD3N  IDD4R IDD4W  IDD5B IDD5D  IDD6  IDD7  150  175  30  90  70  45  35  105  350  350  400  100  12  450  mA  mA  mA  mA  mA  mA  mA  mA  mA  mA  mA  mA  mA  mA  Notes: 1. IDD specifications are tested after the device is properly initialized.  2. Input slew rate is specified by AC Parametric Test Condition.  3. IDD parameters are specified with ODT disabled.  4. For A2 temperature grade with TA > 85oC: IDD values are derated to maximum values 10%  above those shown.  Integrated Silicon Solution, Inc. Rev. A 12/3/2013 www.issi.com 19 IS43/46DR16128A  AC Characteristics  (AC Operating Conditions Unless Otherwise Noted)  ­37C  DDR2­533C  Parameter  Symbol  Min  Max Row Cycle Time  Auto Refresh Row  Cycle Time  Row Active Time  Row Active to  Column Address  Delay Row Active to Row  Active Delay  Four Activate  Window  Column Address to  Column Address  Delay Row Precharge Time  Write Recovery Time  Auto precharge Write  recovery + Precharge  Time  Clock Cycle Time  Clock High Level  Width Clock Low Level  Width Cycle to cycle  Data­Out Edge to  Clock Skew Edge  DQS­Out Edge to  Clock Skew Edge  DQS­Out Edge to  Clock Skew Edge  Data­Out Hold Time  from DQS  Data Hold Skew  Factor  Clock Half Period  Units  Notes tRC  55    55    ns    tRFC  197.5   197.5   ns  11  tRAS  40  70K  40  70K  ns  21  tRCD  15    15    ns  20  tRRD  10    10    ns    tFAW  50    50    ns    tCCD  2    2    tCK    tRP  15    15    ns    tWR  15    15    ns    tDAL  Min = tWR+tRP, Max = n/a  ns  12  tCK3 (CL=3) 5  8  5  8  ns  2, 24  tCK4 (CL=4) 3.75  8  3.75  8  ns  2, 24  tCK5 (CL=5)     3  8  ns  2, 24  tCK6 (CL=6)         ns  24  tCH  0.45  0.55 0.48  0.52 tCK    tCL  0.45  0.55 0.48  0.52 tCK    ps    tJITcc  250  250  tAC  ­0.5  0.5  ­0.45  0.45 ns    tDQSCK  ­0.45  0.45 ­0.4  0.4  ns    tDQSQ    0.3    0.24 ns    Min = tHP(min)­tQHS, Max =  n/a  ns    ps    ns  5  tQH  tQHS  tHP  Integrated Silicon Solution, Inc. Rev. A 12/3/2013 ­3D  DDR2­667D  Min  Max   400    340  Min = tCH(min)/tCL(min),  Max = n/a  www.issi.com 20 IS43/46DR16128A  AC Characteristics  (AC Operating Conditions Unless Otherwise Noted) ­37C  Parameter  Symbol  DDR2­533C  Min  Max ­3D  DDR2­667D Min  Max Units  Notes  Input Setup Time (fast  slew rate)  tIS  250    200    ps  15,17  Input Hold Time (fast slew  rate) tIH  375    275    ps  15,17  tIPW  0.6    0.6    tCK    tDQSH  0.35   0.35   tCK    tDQSL  0.35   0.35   tCK    tCK    Input Pulse Width  Write DQS High Level  Width Write DQS Low Level  Width CLK to First Rising Edge of  DQS­In  Data­In Setup Time to  DQS­In (DQ, DM)  Data­In Hold Time to  DQS­In (DQ, DM)  DQS falling edge from CLK  rising Setup Time  DQS falling edge from CLK  rising Hold Time  DQ & DM Pulse Width  Read DQS Preamble Time  Read DQS Postamble  Time  Write DQS Preamble  Setup Time  Write DQS Preamble Hold  Time  Write DQS Preamble Time Write DQS Postamble  Time  Internal Read to  Precharge Command  Delay Internal Write to Read  Command Delay  Data­Out to High  Impedance from CK/CK#  DQS/DQS# Low  Impedance from CK/CK#  tDS  100    100    ps  16,17,18  tDH  225    175    ps  16,17,18  tDSS  0.2    0.2    tCK    tDSH  0.2    0.2    tCK    tDIPW  0.35   0.35   tCK    tRPRE  0.9  1.1  0.9  1.1  tCK    tRPST  0.4  0.6  0.4  0.6  tCK    tWPRES  0    0    tCK    tWPREH  0.25   0.25   tCK    tWPRE  0.35   0.35   tCK    tWPST  0.4  0.6  0.4  0.6  tCK  10  tRTP  7.5    7.5    ns    tWTR  7.5    7.5    ns  13  ns  7  ns  7  tHZ  tLZ(DQS)  Integrated Silicon Solution, Inc. Rev. A 12/3/2013 Min = ­0.25tCK,   Max = +0.25tCK  tDQSS  Min = n/a,   Max = tAC(max)  Min = tAC(min),   Max = tAC(max)  www.issi.com 21 IS43/46DR16128A  AC Characteristics  (AC Operating Conditions Unless Otherwise Noted) Parameter  Symbol  ­37C  DDR2­533C  Min  DQ to Low Impedance from  CK/CK#  Mode Register Set Delay  OCD Drive Mode Output  Delay ODT Drive Mode Output  Delay Exit Self refresh to Non­Read  Command  Exit Self refresh to Read  Command  Exit Precharge Power Down  to any Non­Read Command  Exit Active Power Down to  Read Command  Exit Active Power Down to  Read Command (slow exit,  low power)  Minimum time clocks  remains ON after CKE  asynchronously drops LOW  CKE minimum high and low  pulse width  Average Periodic Refresh  Interval (­40°C  TC 85° C)  Average Periodic Refresh  Interval (+85°C