IS46DR16160B-25DBLA2

物料型号：IS43/46DR16160B

器件简介：这是一颗由Integrated Silicon Solution, Inc.生产的16Mx16 DDR2 SDRAM存储器，采用双数据速率架构，能够在每个时钟周期内传输两个数据字，以实现高速操作。该器件具备4位预取架构，支持多种CAS延迟和突发长度，适用于多种应用场景。

引脚分配：该器件使用84球TW-BGA封装，具体的引脚分配包括数据输入/输出(DQ0-15)、数据存取控制(UDQS, LDQS)、电源(VDD, VDDQ, VDDL)、地(VSS, VSSQ)等。每个引脚的功能在文档中有详细的描述。

参数特性：器件的工作电压为1.8V，具有JEDEC标准的1.8V I/O接口，支持双数据速率接口，具有差分数据存取时钟(DQS, DQS)和4位预取架构。内部包含4个存储体，可以同时操作。支持可编程的CAS延迟，包括3、4、5、6和7，并支持突发长度为4或8。

功能详解：该DDR2 SDRAM支持突发读写访问，具有自动预充电功能，可以在读写命令之前通过AL延迟命令的内部注册。器件还支持电源下降模式和自刷新模式，以及ODT(片上终止)功能，可以通过EMRS命令配置。

应用信息：该器件适用于需要高速数据传输和高可靠性的应用，如工业控制、汽车电子和通信设备等。不同温度范围的产品适用于不同的工作环境，包括商业(0°C至85°C)、工业(-40°C至95°C)和汽车级(-40°C至105°C)。

封装信息：该器件采用84球TW-BGA封装，尺寸为8mm x 12.5mm，球间距为0.8mm。封装图提供了器件的顶视图和封装轮廓。