物料型号：
- IS61C67-15N（15ns速度，低功耗）
- IS61C67-L15N（15ns速度，低功耗，L版本）
- IS61C67-20N（20ns速度，低功耗）
- IS61C67-L20N（20ns速度，低功耗，L版本）
- IS61C67-25N（25ns速度，低功耗）
- IS61C67-L25N（25ns速度，低功耗，L版本）
器件简介：
IS61C67是一款高速、低功耗的16384字节x1位CMOS静态RAM。使用ISSI高性能CMOS双金属技术制造，具有快速访问时间（最大15ns），低功耗（典型工作状态下200mW，待机状态下55mW），TTL待机状态下10uW（L版本），全静态操作无需时钟或刷新，TTL兼容的输入输出，2V数据保持功能用于电池备份（L版本），单5V电源供电。
引脚分配：
- $A_0$至$A_{12}$：14个地址输入，选择16384个1位字节中的一个。
- CE：芯片使能输入，低电平有效。
- GND：地。
- WE：写使能输入，低电平有效。
- DIN：数据输入端口，用于写入数据到RAM。
- DOUT：数据输出端口，用于从RAM读取数据。
- Vcc：电源。
参数特性：
- 访问时间：15ns、20ns、25ns（最大值）
- 工作电压：5V
- 工作电流：典型值200mW，待机55mW，TTL待机10uW（L版本）
- 数据保持：2V（L版本）
功能详解：
IS61C67通过低电平有效的芯片使能输入（CE）和写使能输入（WE）进行读写操作。当CE为高电平时，设备进入待机模式，此时功耗可降至10uW（CMOS输入水平，L版本）。该器件支持通过活动低芯片使能输入进行内存扩展，活动低写使能控制内存的读写。
应用信息：
适用于需要高速访问和低功耗内存的应用场合，如计算机内存、高速缓存等。
封装信息：
- 封装类型：Plastic DIP - 300 mil
- 温度范围：0°C至+70°C
