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IS61LPS204818B-200B3L-TR

IS61LPS204818B-200B3L-TR

  • 厂商:

    ISSI(芯成半导体)

  • 封装:

    TBGA165

  • 描述:

    IC SRAM 36MBIT PARALLEL 165TFBGA

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IS61LPS204818B-200B3L-TR 数据手册
IS61LPS204818B-200B3L-TR
物料型号: - IS61(64)LPS102436B - IS61(64)VPS102436B - IS61(64)VVPS102436B - IS61(64)LPS204818B - IS61(64)VPS204818B - IS61(64)VVPS204818B

器件简介: 这些器件是高速、低功耗的同步流水线式静态随机存取存储器(SRAM),专为通信和网络应用设计,提供突发式高性能内存。

引脚分配: 文档提供了100-Pin QFP、119-Ball BGA和165-Ball BGA封装的引脚分配图,详细列出了每个引脚的信号名称和功能。

参数特性: - 内部自定时写周期 - 独立字节写控制和全局写 - 时钟控制的寄存器地址、数据和控制输入 - 通过MODE输入控制的突发序列 - 三个芯片使能选项,用于简单的深度扩展和地址流水线 - 公共数据输入和输出 - 断电期间自动进入省电模式 - 单周期去选

功能详解: - 写周期由时钟输入的上升沿启动,可以是一字节到四字节宽。 - 通过BYTE写使能(BWE)输入和个别字节写信号(BWx)执行字节写操作。 - 提供全局写(GW),可无视字节写控制一次性写入所有字节。 - 支持JEDEC 100-Pin QFP、119-ball BGA和165-ball BGA封装。

应用信息: 这些SRAM适用于需要高速数据存储和检索的应用,如通信设备、网络设备和高性能计算系统。
IS61LPS204818B-200B3L-TR 价格&库存

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