IS61VF51236A-7.5TQLI-TR

物料型号： - IS61LF25672A - IS61VF25672A - IS61LF51236A - IS61VF51236A - IS61LF102418A - IS61VF102418A

器件简介： 这些器件是高速、低功耗的同步静态RAM，专为通信和网络应用设计，提供突发式高性能内存。

引脚分配： 文档提供了不同封装（如PBGA、TQFP）的引脚分配图，包括地址输入、数据输入/输出、控制信号等。

参数特性： - 内部自定时写周期 - 单独的字节写控制和全局写控制 - 通过MODE输入控制的突发序列 - 三种芯片使能选项，用于简单的深度扩展和地址流水线 - 公共数据输入和数据输出 - 在未选中期间自动进入省电模式 - 单周期未选中 - 降低功耗待机的Snooze模式 - PBGA封装的JTAG边界扫描 - 电源供应：LF系列VDD 3.3V ± 5%，VDDQ 3.3V/2.5V ± 5%；VF系列VDD 2.5V ± 5%，VDDQ 2.5V ± 5% - 封装类型包括100引脚TQFP、119引脚PBGA、209球PBGA和165引脚PBGA - 无铅版本可用

功能详解： - 所有同步输入都通过由单个时钟输入控制的寄存器传递。 - 写周期由时钟输入的上升沿启动，可以是1到4个字节宽。 - 可以使用字节写使能(BWE)输入结合一个或多个单独的字节写信号(BWx)来执行字节写操作。 - 提供全局写(GW)功能，可以一次性写入所有字节。 - 可以通过AD_SP(地址状态处理器)或AD_SC(地址状态缓存控制器)输入引脚启动突发。 - MODE引脚用于选择突发序列顺序，当该引脚接低时实现线性突发，接高或悬浮时实现交错突发。

应用信息： 这些SRAM适用于需要高速数据存储和快速访问的应用，如通信设备、网络设备、高性能计算系统等。