IS61WV12816BLL-12TLI

物料型号： - IS61WV12816BLL - IS64WV12816BLL

器件简介： - 这两种型号是高速、2,097,152位静态RAM，以131,072字 x 16位组织。 - 使用ISSI的高性能CMOS技术制造，具有高速访问时间和低功耗特性。

引脚分配： - 44引脚TSOP (Type II)封装和48引脚mini BGA封装。 - 引脚包括地址输入A0-A16、数据输入/输出I/O0-I/O15、片使能CE、输出使能OE、写使能WE、上字节控制UB、下字节控制LB等。

参数特性： - 高速访问时间：12ns (3.3V + 10%) 或 15ns (2.5V-3.6V)。 - 工作电流：典型值25mA。 - 待机电流：典型值400µA。 - TTL和CMOS兼容的接口电平。 - 全静态操作，无需时钟或刷新。 - 三态输出，数据控制上字节和下字节。 - 工业和汽车温度范围可用。 - 无铅版本可用。

功能详解： - 当CE为高电平时，设备进入待机模式，降低功耗。 - 通过使用片使能和输出使能输入，可以轻松扩展存储器。 - 活动低写使能(WE)控制存储器的读写。 - 数据字节允许访问上字节(UB)和下字节(LB)。

应用信息： - 适用于需要高速数据存储和检索的应用。

封装信息： - 遵循JEDEC标准的44引脚TSOP (Type II)和48引脚mini BGA封装。