0
登录后你可以
  • 下载海量资料
  • 学习在线课程
  • 观看技术视频
  • 写文章/发帖/加入社区
会员中心
创作中心
发布
  • 发文章

  • 发资料

  • 发帖

  • 提问

  • 发视频

创作活动
IS62WV10248DBLL-55MLI-TR

IS62WV10248DBLL-55MLI-TR

  • 厂商:

    ISSI(芯成半导体)

  • 封装:

    TFBGA48

  • 描述:

    IC SRAM 8MBIT PARALLEL 48MINIBGA

  • 详情介绍
  • 数据手册
  • 价格&库存
IS62WV10248DBLL-55MLI-TR 数据手册
IS62WV10248DBLL-55MLI-TR
物料型号:IS62WV10248DALL/BLL

器件简介: - 这是一款由ISSI生产的高速、1M位静态RAM,以1M字 x 8位的形式组织。 - 采用ISSI的高性能CMOS技术制造,具有高可靠性和低功耗特性。

引脚分配: - 该器件有48引脚mini BGA和44引脚TSOP两种封装形式。 - 引脚包括地址输入A0-A19、片选输入CS1和CS2、输出使能输入OE、写使能输入WE、输入/输出I/O0-I/O7、电源VDD和地GND。

参数特性: - 高速访问时间:45ns和55ns。 - CMOS低功耗操作:典型工作功耗30mW,典型待机功耗12µW。 - TTL兼容接口电平。 - 单电源供电:1.65V至2.2V(62/65WV10248DALL)或2.4V至3.6V(62/65WV10248DBLL)。 - 全静态操作:无需时钟或刷新。 - 三态输出。 - 数据控制上、下字节。 - 汽车温度范围(-40°C至+125°C)。 - 提供无铅选项。

功能详解: - 当CS1为高电平或CS2为低电平时,设备进入待机模式,此时功耗可降低。 - 通过使用芯片使能和输出使能输入,可轻松实现存储器扩展。 - 低电平写使能(WE)控制存储器的读写。 - IS62WV10248DALL和IS62WV10248DBLL采用JEDEC标准的48引脚mini BGA(9mm x 11mm)和44引脚TSOP(TYPE II)封装。

应用信息: - 该器件适用于需要高速和低功耗存储器的应用场合。

封装信息: - 提供48引脚mini BGA和44引脚TSOP两种封装选项,具体封装细节遵循JEDEC标准。
IS62WV10248DBLL-55MLI-TR 价格&库存

很抱歉,暂时无法提供与“IS62WV10248DBLL-55MLI-TR”相匹配的价格&库存,您可以联系我们找货

免费人工找货