物料型号:IS62WV10248DALL/BLL
器件简介:
- 这是一款由ISSI生产的高速、1M位静态RAM,以1M字 x 8位的形式组织。
- 采用ISSI的高性能CMOS技术制造,具有高可靠性和低功耗特性。
引脚分配:
- 该器件有48引脚mini BGA和44引脚TSOP两种封装形式。
- 引脚包括地址输入A0-A19、片选输入CS1和CS2、输出使能输入OE、写使能输入WE、输入/输出I/O0-I/O7、电源VDD和地GND。
参数特性:
- 高速访问时间:45ns和55ns。
- CMOS低功耗操作:典型工作功耗30mW,典型待机功耗12µW。
- TTL兼容接口电平。
- 单电源供电:1.65V至2.2V(62/65WV10248DALL)或2.4V至3.6V(62/65WV10248DBLL)。
- 全静态操作:无需时钟或刷新。
- 三态输出。
- 数据控制上、下字节。
- 汽车温度范围(-40°C至+125°C)。
- 提供无铅选项。
功能详解:
- 当CS1为高电平或CS2为低电平时,设备进入待机模式,此时功耗可降低。
- 通过使用芯片使能和输出使能输入,可轻松实现存储器扩展。
- 低电平写使能(WE)控制存储器的读写。
- IS62WV10248DALL和IS62WV10248DBLL采用JEDEC标准的48引脚mini BGA(9mm x 11mm)和44引脚TSOP(TYPE II)封装。
应用信息:
- 该器件适用于需要高速和低功耗存储器的应用场合。
封装信息:
- 提供48引脚mini BGA和44引脚TSOP两种封装选项,具体封装细节遵循JEDEC标准。