物料型号：IS62WV25616DALL/DBLL, IS65WV25616DBLL
器件简介：高速低功耗4M位CMOS静态RAM，采用ISSI高性能CMOS技术制造，具有高速访问时间和低功耗特性。
引脚分配：44-Pin mini TSOP (Type II) 和 48-Pin mini BGA (6mmx8mm)封装，包括地址输入A0-A17，数据输入/输出I/O0-I/O15，片选输入CS1、CS2，输出使能输入OE，写使能输入WE，低字节控制LB和高字节控制UB。
参数特性：工作电压1.65V-2.2V（IS62WV25616DALL）或2.3V-3.6V（IS62/65WV25616DBLL），典型功耗30mW（操作）和6µW（待机），支持工业和汽车温度范围。
功能详解：支持高速访问时间（35ns, 45ns, 55ns），CMOS低功耗操作，TTL兼容接口电平，全静态操作无需刷新，三态输出，数据控制，支持2个CS选项。
应用信息：适用于需要高速、低功耗和高可靠性的内存扩展应用。
封装信息：提供无铅选项，符合JEDEC标准封装。
