物料型号:IS61WV51216ALL、IS61WV51216BLL、IS64WV51216BLL
器件简介:高速、8M位静态RAM,512K字 x 16位,使用ISSI高性能CMOS技术制造,具有低功耗、高可靠性。
引脚分配:A0-A18为地址输入,I/O0-I/O15为数据输入/输出,CE为芯片使能输入,OE为输出使能输入,WE为写使能输入,LB和UB分别为低字节和高字节控制。
参数特性:高速访问时间8ns、10ns、20ns,工作电压1.65V至3.6V,多种封装形式,支持工业和汽车温度范围。
功能详解:支持内存扩展,具备CE电源关闭功能,全静态操作,无需时钟或刷新,TTL兼容输入输出。
应用信息:适用于需要高速、低功耗存储解决方案的应用场景。
封装信息:48球miniBGA(9mm x 11mm)和44引脚TSOP(Type II)封装。