物料型号:IS62C1024AL 和 IS65C1024AL
器件简介:IS62C1024AL/IS65C1024AL 是低功耗、131,072 字 x 8 位 CMOS 静态 RAM。
采用高性能 CMOS 技术制造,具有高可靠性和低功耗特性。
引脚分配:
- 地址输入:A0-A16
- 控制信号:CE1(芯片使能1)、CE2(芯片使能2)、OE(输出使能)、WE(写使能)
- 数据输入/输出:I/O0-I/O7
- 电源:VDD、GND
参数特性:
- 高速访问时间:35 ns 和 45 ns
- 低活动功耗:100 mW(典型值)
- 低待机功耗:20 μW(典型值)
- 单 5V ±10% 电源供电
- 商用、工业和汽车温度范围
- 标准引脚配置:32 引脚 SOP/32 引脚 TSOP(类型 1)
- 无铅版本可用
功能详解:
- 完全静态操作,无需时钟或刷新
- TTL 兼容输入和输出
- 通过使用 CE1 和 CE2 两个芯片使能输入,提供轻松的内存扩展
- 活动低写使能 WE 控制内存的读写
应用信息:
- 产品不推荐用于生命维持应用,除非得到 ISSI 的书面保证
封装信息:
- 32 引脚 SOP
- 32 引脚 TSOP(类型 1)
操作范围:
- 商用:0°C 至 +70°C,5V±10%
- 工业:-40°C 至 +85°C,5V±10%
- 汽车:-40°C 至 +125°C,5V±10%
绝对最大额定值:
- 终端电压与 GND 之间:-0.5 至 +7.0V
- 存储温度:-65°C 至 +125°C
- 功耗:1.0W
- 输出低电平 DC 输出电流:20mA
电容特性:
- 输入电容:6 pF
- 输出电容:8 pF
直流电气特性:
- 输出高电平电压:2.4V
- 输出低电平电压:0.4V
- 输入高电平电压:2.2V
- 输入低电平电压:-0.5V 至 0.8V
- 输入漏电流:商用 -1 至 1 μA,工业 -2,汽车 -5 至 2 μA
- 输出漏电流:商用 -1 至 1 μA,工业 -2,汽车 -5 至 2 μA
电源供应特性:
- 平均工作电流:25 mA(商用),30 mA(工业),35 mA(汽车)
- TTL 待机电流:1 mA(商用),1.5 mA(工业),2 mA(汽车)
- CMOS 待机电流:5 μA(商用),10 μA(工业),45 μA(汽车)
读取周期转换特性:
- 读取周期时间:35 ns(商用),45 ns(工业)
- 地址访问时间:35 ns(商用),45 ns(工业)
- 输出保持时间:3 ns
写入周期转换特性:
- 写入周期时间:35 ns(商用),45 ns(工业)
- CE1 到写入结束时间:25 ns(商用),35 ns(工业)
- CE2 到写入结束时间:25 ns(商用),35 ns(工业)
数据保持特性:
- 数据保持电压:2.0V 至 5.5V
- 数据保持电流:商用 5 μA,工业 10 μA,汽车 45 μA
订购信息:
- IS62C1024AL-35QLI(35 ns, SOP 封装)
- IS62C1024AL-35TLI(35 ns, TSOP 封装)
- IS65C1024AL-45QLA3(45 ns, SOP 封装)
- IS65C1024AL-45TLA3(45 ns, TSOP 封装)