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IS65C1024AL-45TLA3

IS65C1024AL-45TLA3

  • 厂商:

    ISSI(芯成半导体)

  • 封装:

    TFSOP-32

  • 描述:

    IC SRAM 1MBIT PARALLEL 32TSOP I

  • 详情介绍
  • 数据手册
  • 价格&库存
IS65C1024AL-45TLA3 数据手册
IS65C1024AL-45TLA3
物料型号:IS62C1024AL 和 IS65C1024AL

器件简介:IS62C1024AL/IS65C1024AL 是低功耗、131,072 字 x 8 位 CMOS 静态 RAM。

采用高性能 CMOS 技术制造,具有高可靠性和低功耗特性。


引脚分配: - 地址输入:A0-A16 - 控制信号:CE1(芯片使能1)、CE2(芯片使能2)、OE(输出使能)、WE(写使能) - 数据输入/输出:I/O0-I/O7 - 电源:VDD、GND

参数特性: - 高速访问时间:35 ns 和 45 ns - 低活动功耗:100 mW(典型值) - 低待机功耗:20 μW(典型值) - 单 5V ±10% 电源供电 - 商用、工业和汽车温度范围 - 标准引脚配置:32 引脚 SOP/32 引脚 TSOP(类型 1) - 无铅版本可用

功能详解: - 完全静态操作,无需时钟或刷新 - TTL 兼容输入和输出 - 通过使用 CE1 和 CE2 两个芯片使能输入,提供轻松的内存扩展 - 活动低写使能 WE 控制内存的读写

应用信息: - 产品不推荐用于生命维持应用,除非得到 ISSI 的书面保证

封装信息: - 32 引脚 SOP - 32 引脚 TSOP(类型 1)

操作范围: - 商用:0°C 至 +70°C,5V±10% - 工业:-40°C 至 +85°C,5V±10% - 汽车:-40°C 至 +125°C,5V±10%

绝对最大额定值: - 终端电压与 GND 之间:-0.5 至 +7.0V - 存储温度:-65°C 至 +125°C - 功耗:1.0W - 输出低电平 DC 输出电流:20mA

电容特性: - 输入电容:6 pF - 输出电容:8 pF

直流电气特性: - 输出高电平电压:2.4V - 输出低电平电压:0.4V - 输入高电平电压:2.2V - 输入低电平电压:-0.5V 至 0.8V - 输入漏电流:商用 -1 至 1 μA,工业 -2,汽车 -5 至 2 μA - 输出漏电流:商用 -1 至 1 μA,工业 -2,汽车 -5 至 2 μA

电源供应特性: - 平均工作电流:25 mA(商用),30 mA(工业),35 mA(汽车) - TTL 待机电流:1 mA(商用),1.5 mA(工业),2 mA(汽车) - CMOS 待机电流:5 μA(商用),10 μA(工业),45 μA(汽车)

读取周期转换特性: - 读取周期时间:35 ns(商用),45 ns(工业) - 地址访问时间:35 ns(商用),45 ns(工业) - 输出保持时间:3 ns

写入周期转换特性: - 写入周期时间:35 ns(商用),45 ns(工业) - CE1 到写入结束时间:25 ns(商用),35 ns(工业) - CE2 到写入结束时间:25 ns(商用),35 ns(工业)

数据保持特性: - 数据保持电压:2.0V 至 5.5V - 数据保持电流:商用 5 μA,工业 10 μA,汽车 45 μA

订购信息: - IS62C1024AL-35QLI(35 ns, SOP 封装) - IS62C1024AL-35TLI(35 ns, TSOP 封装) - IS65C1024AL-45QLA3(45 ns, SOP 封装) - IS65C1024AL-45TLA3(45 ns, TSOP 封装)
IS65C1024AL-45TLA3 价格&库存

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