IS66WV51216DBLL-70TLI-TR

物料型号为IS66WV51216DALL和IS66/67WV51216DBLL，是高速、低功耗的8M位静态RAM，采用ISSI的高性能CMOS技术制造。

主要特性包括高速访问时间70ns或55ns、CMOS低功耗操作、单一电源供电、三态输出和数据控制功能。

工业温度范围和无铅封装版本可用。

引脚分配如下： - LB OE、A0-A1、CS2、I/O8-I/O15等为低字节数据输入/输出。

- UB OE、A3-A4、CS1、I/O0-I/O7等为高字节数据输入/输出。

- CS1、CS2为芯片使能输入。

- OE为输出使能输入。

- WE为写使能输入。

- LB为低字节控制。

- UB为高字节控制。

- NC表示无连接。

- VDD为电源。

- GND为地。

参数特性包括： - 访问时间：70ns（IS66WV51216DALL）或55ns（IS66/67WV51216DBLL）。

- 电源电压：1.7V-1.95V（IS66WV51216DALL）或2.5V-3.6V（IS66/67WV51216DBLL）。

- 工作温度：工业级（-40°C至+85°C）或汽车级（-40°C至+85°C或-40°C至+105°C）。

功能详解： - 该芯片提供高性能和低功耗的存储解决方案，适用于需要快速数据访问的应用。

- 通过使用芯片使能和输出使能输入，可以轻松扩展存储器。

- 写使能（WE）控制内存的读写。

- 可以选择访问高字节或低字节数据。

应用信息： - 适用于工业和汽车级应用，如数据处理、通信系统、网络设备等。

封装信息： - 该芯片封装在JEDEC标准的48球mini BGA（6mm x 8mm）和44引脚TSOP（类型II）中。

- 也提供裸片销售。