1. 物料型号:
- 型号:GMM 3x100-01X1
2. 器件简介:
- 该器件是一个三相全桥配置,采用沟槽MOSFET技术,封装在DCB隔离的高电流封装中。
3. 引脚分配:
- 有两引脚用于输出L1、L2、L3。
4. 参数特性:
- VDSS:100V
- ID25:90A
- RDSon典型值:7.5毫欧
- 其他参数包括Vas、ID90、F25、F90等。
5. 功能详解:
- 采用沟槽技术的MOSFETs,具有低RDS(on)和优化的内部反向二极管。
- 封装特点包括高集成度、高电流能力、MOSFET控制辅助端子、焊接或焊接连接端子、隔离的DCB陶瓷基板和优化的热传递。
- 节省空间和重量。
6. 应用信息:
- 应用于交流驱动器、汽车中的电动助力转向、启动发电机、工业车辆中的推进驱动、叉车驱动、电池供电设备等。
7. 封装信息:
- 封装类型:SMD
- 标准封装:GMM 3x100-01X1 - SMD
- 包装单位:Blister
- 订购代码:509 035
- 基数量:28