IXFC14N80P

物料型号：IXFC 14N80P

器件简介：这是一个N-Channel Enhancement Mode的PolarHVTM HiPerFET Power MOSFET，具有ISOPLUS 220TM封装，带有电气隔离的标签。

引脚分配：G代表栅极（Gate），D代表漏极（Drain），S代表源极（Source）。

参数特性： - 最大漏源电压（V DSS）：800V - 栅源电压（V GS）：连续工作时±30V，瞬态±40V - 25°C时的漏电流（D25）：8A - 脉冲条件下的最大漏电流（DM）：40A - 雪崩能量（E AS）：1.2J - 存储时间（dv/dt）：10V/ns - 耗散功率（P D）：130W - 工作结温（T J）：-55°C至+150°C - 电气隔离电压（V ISOL）：2500V

功能详解：该MOSFET适用于DC-DC转换器、电池充电器、开关模式和共振模式电源供应、直流斩波器和交流电机控制等应用。

应用信息：易于组装，节省空间，高功率密度。

封装信息：ISOPLUS 220TM (IXFC) E153432，具有电气隔离的安装表面，低漏极到标签电容（<30pF）。