IXFC26N50P

1. 物料型号：IXFC 26N50P 2. 器件简介：该器件是一款N沟道增强型功率MOSFET，具有快速内在二极管和高耐压特性。 3. 引脚分配：G代表栅极(Gate)，D代表漏极(Drain)，S代表源极(Source)。 4. 参数特性： - VDSS：漏源电压，最大500V。 - VGS：栅源电压，连续工作时±30V，瞬态±40V。 - ID25：在25°C时的连续工作电流为15A。 - IDM：在25°C时的最大脉冲电流为78A。 - RDS(on)：在10V的VGS和特定测试条件下，导通电阻最大为260毫欧。 - dv/dt：在特定条件下，电压变化率最大为20V/ns。 - PD：功率耗散，在25°C时最大为130W。 5. 功能详解：该MOSFET适用于DC-DC转换器、电池充电器、开关型和共振型电源供应、直流电切割机和交流电机控制等应用。 6. 应用信息：适用于需要高功率密度和易于组装的应用场合。 7. 封装信息：ISOPLUS220TM封装，具有电气隔离标签，提供2500V的电气隔离。