IXFR180N085

厂商：
IXYS(艾赛斯)
封装：
ISOPLUS247™
描述：
MOSFET N-CH 85V 180A ISOPLUS247

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IXFR180N085 数据手册

HiPerFETTM Power MOSFETs IXFR 180N085 ISOPLUS247TM (Electrically Isolated Back Surface) VDSS = 85 V ID25 = 180 A RDS(on) = 7 mW trr £ 250 ns Single MOSFET Die Preliminary data sheet Symbol Test Conditions Maximum Ratings VDSS VDGR TJ = 25°C to 150°C TJ = 25°C to 150°C; RGS = 1 MW VGS VGSM ISOPLUS 247TM E153432 85 85 V V Continuous Transient ±20 ±30 V V ID25 ID(RMS) IDM IAR TC = 25°C (MOSFET chip capability) External lead current limit TC = 25°C, Note 1 TC = 25°C 180 76 720 180 A A A A EAR EAS TC = 25°C TC = 25°C 60 3 mJ J dv/dt IS £ IDM, di/dt £ 100 A/ms, VDD £ VDSS TJ £ 150°C, RG = 2 W 5 V/ns PD TC = 25°C 400 W Features TJ -55 ... +150 °C TJM Tstg 150 -55 ... +150 °C °C 300 °C 2500 V~ 5 g • Silicon chip on Direct-Copper-Bond substrate - High power dissipation - Isolated mounting surface - 2500V electrical isolation • Low drain to tab capacitance(

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IXFR180N085

PDF文档中包含以下信息：

1. 物料型号：型号为EL817，是一款光耦器件。

2. 器件简介：EL817是一种晶体管输出的光耦器件，具有高隔离电压和快速响应时间。

3. 引脚分配：EL817共有6个引脚，其中1脚为发光二极管的阳极，2脚为阴极，3脚为集电极，4脚为发射极，5脚为集电极，6脚为发射极。

4. 参数特性：工作温度范围为-55℃至125℃，隔离电压为5000Vrms，响应时间为1us。

5. 功能详解：EL817通过光电效应实现电信号的隔离传输，适用于需要电气隔离的场合。

6. 应用信息：广泛应用于通信、工业控制、医疗设备等领域。

7. 封装信息：采用DIP-6封装形式。

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