IXTV03N400S

物料型号：IXTH03N400和IXTV03N400S。

器件简介：这两种MOSFET是N沟道增强型，具有快速内障特性。

引脚分配： - TO-247封装（IXTH）：1-栅极(Gate)，2-漏极(Drain)，3-源极(Source)。 - PLUS220SMD封装（IXTV_S）：1-栅极(Gate)，2-漏极(Drain)，3-源极(Source)。

参数特性： - 最大电压(V_DSS)：4000V。 - 栅源电压(V_GSS)：连续工作时+20V。 - 漏极电流(I_D25)：在25°C时为300mA。 - 功耗(P_D)：在25°C时为130W。 - 工作温度范围(T)：-55°C到+150°C。

功能详解： - 该器件具有国际标准封装，易于安装，节省空间，具有高功率密度。 - 特性值包括阈值电压(V_GS(th))、漏源电流(IDSS)和导通电阻(R_DS(on))等。

应用信息： - 适用于高电压电源和电容器放电脉冲电路。

封装信息： - 提供TO-247和PLUS220SMD两种封装形式，详细尺寸和安装扭矩等信息也在文档中给出。