GWM100-01X1-SMDSAM

物料型号：GWM 100-01X1

器件简介： - 该模块采用沟槽MOSFET技术，封装在具有DCB隔离的高电流封装中。 - 适用于汽车、工业车辆和电池供电设备的交流驱动。

引脚分配： - 模块有直引线（Straight Leads）和表面贴装设备（Surface Mount Device）两种封装选项。 - 引脚分配包括MOSFET的漏极（D）、源极（S）、门极（G）和辅助引脚。

参数特性： - 最大集电极-发射极电压（V_DSS）：100V - 25°C时的集电极电流（I_D25）：90A - 典型导通电阻（R_DSon typ.）：7.5毫欧姆

功能详解： - MOSFET采用沟槽技术，具有低导通电阻和优化的内置反向二极管。 - 封装具有高集成度和高电流能力，最大300A。 - 提供用于MOSFET控制的辅助引脚和用于焊接或钎焊连接的引脚。 - 采用优化热传导的隔离DCB陶瓷基板。

应用信息： - 适用于汽车中的电动助力转向、启动发电机。 - 工业车辆中的推进驱动、叉车驱动。 - 电池供电设备。

封装信息： - 封装尺寸和引脚间距信息，包括直引线和表面贴装版本。 - 提供了订购信息，包括部件名称、包装单位标记、部件标记、交付方式、基数量和订购代码。

文档还包含了一些图表，例如： - 漏极-源极击穿电压V_DSS与结温T_J的关系图。 - 典型转移特性图。 - 典型输出特性图。 - 漏极-源极导通电阻R_DS(on)与结温T_J的关系图。 - 漏极-源极导通电阻R_DS(on)与集电极电流I_D的关系图。 - 体二极管的反向恢复时间trr、反向恢复电流IRM和反向恢复电荷Qrr与di/dt的关系图。 - 体二极管电流IF与漏极-源极电压VSD的关系图。 - 开关时间的定义图。 - 典型热阻抗jc与散热器ZthJH的关系图。