GWM120-0075P3-SMDSAM

物料型号：GWM 120-0075P3

器件简介：这是一种采用沟槽MOSFET技术的三相全桥器件，封装在具有高电流能力的DCB绝缘高电流封装中。

引脚分配： - L+：直流电源正极 - L1, L2, L3：三相输入端 - G1, G2, G3, G4, G5, G6：MOSFETs的栅极 - S1, S2, S3, S4, S5, S6：MOSFETs的源极

参数特性： - VDSS：75V - ID25：在25°C时的连续电流为118A - RDSon typ.：典型值为3.7毫欧

功能详解： - 器件采用MOSFETs的沟槽技术，具有低RDSon和优化的内部反向二极管。 - 封装具有高集成度和最高300A的高电流能力。 - 提供了MOSFET控制的辅助端子和用于焊接或钎焊连接的端子。 - 采用优化热传递的DCB陶瓷基板。

应用信息： - 适用于交流驱动，包括汽车中的电动助力转向、启动发电机、工业车辆中的推进驱动、叉车驱动以及电池供电设备中。

封装信息： - 有三种引脚形状可供选择：直引线（SL）、表面贴装引线版本（SMD）和弯曲引线（BL）。