物料型号:IXBP 5N160 G和IXBH 5N160 G。
器件简介:这些是单片双极型MOS晶体管,具有高电压BIMOSFET技术,可以作为高压MOSFET的替代品,具有更低的电压降和MOSFET兼容的控制特性。
引脚分配:文档中提供了两种封装类型的引脚分配,分别是TO-220 AB和TO-247 AD。
参数特性:包括最大电流(I_C25)为5.7A,最大集电极-发射极电压(V_CES)为1600V,饱和压降(V_CE(sat))为4.9V,以及存储时间(t)为70ns。
功能详解:文档列出了详细的电气特性,如集电极-发射极饱和电压(CE(sat))、门极-发射极阈值电压(GE(th))、集电极-发射极具性电流(CES)、门极-发射极电流(GES)等。
应用信息:这些BIMOSFET适用于开关电源、DC-DC转换器、谐振转换器、灯镇流器、激光发生器和X射线发生器等。
封装信息:提供了TO-220 AB和TO-247 AD两种封装的尺寸和重量信息。