IXFE39N90

- 物料型号：IXFE 39N90 - 器件简介：这是一种N-Channel Enhancement Mode的Avalanche Rated Power MOSFET，具有高dv/dt和低trr特性。 - 引脚分配：G代表Gate，D代表Drain，S代表Source。MiniBLOC的任一Source端可以作为主Source或Kelvin Source。 - 参数特性： - VDSS最大值为900V。 - VGS连续工作电压为±20V，瞬态电压为±30V。 - ID在25°C时为34A，最大电流为154A。 - RDS(on)在10V时为220毫欧姆。 - 具有低内阻、低封装电感和快速内建整流器。 - 功能详解：文档提到了器件的低RDS(on)、坚固的多晶硅栅极结构、未加限制的感性开关（UIS）额定值等特性。 - 应用信息：适用于DC-DC转换器、电池充电器、开关模式和共振模式电源供应、DC斩波器、温度和照明控制等。 - 封装信息：符合SOT-227B外形尺寸。