IXFH10N100P

物料型号：IXFH10N100P, IXFV10N100P, IXFV10N100PS

器件简介：PolarTM Power MOSFET HiPerFETTM 是一种N-Channel Enhancement Mode Avalanche Rated Fast Intrinsic Diode。

引脚分配： - TO-247 (IXFH): G(Gate), S(Source), D(Drain) - PLUS220 (IXFV): G(Gate), D(Drain), S(Source) - PLUS220SMD (IXFV_S): G(Gate), S(Source), D(Drain)

参数特性： - 最大电压(V_DSS): 1000V - 连续工作电流(I_D25): 10A - 脉冲工作电流(I_DM): 25A - 存储电荷(Q_g(on)): 56nC - 导通电阻(R_DS(on)): ≤1.4Ω - 反向恢复时间(t_rr): ≤300ns

功能详解： - 该MOSFET具有快速恢复二极管和雪崩等级，低内阻，适用于高功率密度应用。

应用信息： - 开关模式和共振模式电源供应 - DC-DC转换器 - 激光驱动器 - AC和DC电机驱动 - 机器人技术和伺服控制

封装信息： - 提供国际标准封装，包括TO-247和PLUS220，具有快速恢复二极管和低封装电感。