物料型号：IXFH10N100P, IXFV10N100P, IXFV10N100PS
器件简介：PolarTM Power MOSFET HiPerFETTM 是一种N-Channel Enhancement Mode Avalanche Rated Fast Intrinsic Diode。
引脚分配：
- TO-247 (IXFH): G(Gate), S(Source), D(Drain)
- PLUS220 (IXFV): G(Gate), D(Drain), S(Source)
- PLUS220SMD (IXFV_S): G(Gate), S(Source), D(Drain)
参数特性：
- 最大电压(V_DSS): 1000V
- 连续工作电流(I_D25): 10A
- 脉冲工作电流(I_DM): 25A
- 存储电荷(Q_g(on)): 56nC
- 导通电阻(R_DS(on)): ≤1.4Ω
- 反向恢复时间(t_rr): ≤300ns
功能详解：
- 该MOSFET具有快速恢复二极管和雪崩等级，低内阻，适用于高功率密度应用。
应用信息：
- 开关模式和共振模式电源供应
- DC-DC转换器
- 激光驱动器
- AC和DC电机驱动
- 机器人技术和伺服控制
封装信息：
- 提供国际标准封装，包括TO-247和PLUS220，具有快速恢复二极管和低封装电感。
