IXFN44N50U3

1. 物料型号：IXFN44N50U2, IXFN44N50U3, IXFN48N50U2, IXFN48N50U3 2. 器件简介：HiPerFET MOSFET是为Buck和Boost电路拓扑结构设计，具有铝氮化物隔离、高功率耗散能力，3000V的隔离电压，低RDS(on)，HDMOSTM工艺，以及坚固的多晶硅栅极结构。 3. 引脚分配：文档中提供了miniBLOC SOT-227B封装的尺寸和引脚分配。 4. 参数特性：包括最大额定值、工作温度、连续和瞬态VGS、ID、IAR、EAR、dv/dt、PD、VRRM、IFAVM、IFRM、TJ、VISOL、IISOL、Md、重量等。 5. 功能详解：文档中详细描述了MOSFET的特性，如VDS、ID、RDS(on)、Ciss、Coss、Crss、td(on)、tr、td(off)、tf、Qg(on)、Qgs、Qgd、RthJC、RthCK等。 6. 应用信息：适用于功率因数控制和Buck调节器、直流伺服和机器人驱动器、直流切碎机和开关磁阻电机控制。 7. 封装信息：提供了miniBLOC SOT-227B封装的详细信息，包括螺丝供应和安装扭矩。