IXFN64N50PD2

物料型号：PolarHVTM HiPerFET IXFN 64N50PD2

器件简介：这是一个N-Channel Enhancement Mode Avalanche Rated Fast Intrinsic Diode，用于功率MOSFET Boost配置的PFC电路。

引脚分配： - 1 = 源极(Source) - 2 = 栅极(Gate) - 3 = 漏极/二极管阳极(Drain / Diode anode) - 4 = 二极管/二极管阴极(Diode / Diode cathode)

参数特性： - 最大电压(V DSS)：500V - 栅极电压(V GS)：连续工作时±30V，瞬态±40V - 漏极电流(D25)：在25°C时为52A - 存储电荷(Q stg)：1.5J - 导通电阻(RDS(on))：最大85mΩ - 内部二极管恢复时间(trr)：最大200ns

功能详解： - 具有快速内部二极管的Boost配置 - 符合国际标准封装 - 封装环氧树脂满足UL 94 V-0的可燃性分类 - miniBLOC带有氮化铝隔离 - 额定无钳位感性开关(UIS) - 低封装电感 - 易于驱动和保护

应用信息： - 易于安装 - 节省空间 - 高功率密度 - 紧密耦合的FRED二极管

封装信息： - miniBLOC, SOT-227 B (IXFN) E153432