IXFN72N55Q2

1. 物料型号：文档中提到的物料型号为IXFN 72N55Q2。

2. 器件简介：IXFN 72N55Q2是一款N-Channel Enhancement Mode的HiPerFETTM Power MOSFET，具有Avalanche Rated、低Qg、低内阻Rg、高dV/dt和低trr的特点。

3. 引脚分配：在miniBLOC, SOT-227 B (IXFN)封装中，G代表Gate（栅极），D代表Drain（漏极），S代表Source（源极）。在miniBLOC封装中，任一Source终端可以作为Main或Kelvin Source使用。

4. 参数特性：文档列出了一系列的电气特性值，例如VDSS（550V）、ID25（72A）、RDS(on)（72mΩ）、trr（不超过250ns）等。

5. 功能详解：文档中包含了该MOSFET的功能特性，如双金属工艺以降低栅极电阻、使用氮化铝隔离的miniBLOC、未锁定感性开关（UIS）额定、低封装电感和快速内在整流器。

6. 应用信息：IXFN 72N55Q2适用于DC-DC转换器、易于安装的开关模式和共振模式电源、高功率密度应用，具有节省空间的优势。