IXGA16N60B2

物料型号：IXGA16N60B2和IXGP16N60B2。

器件简介：这些是HiPerFAST系列的IGBTs，属于B2高速等级，优化了低导通和开关损耗。

引脚分配： - IXGA16N60B2：G（栅极）、E（发射极）、C（集电极）、Tab（集电极） - IXGP16N60B2：G1和G2（栅极）、C（集电极）、E（发射极）

参数特性： - 集电极-发射极电压（VCES）最大600V。 - 集电极电流在25°C时（C25）最大40A，110°C时（C110）最大16A。 - 门极-发射极电压（VGE）在连续工作时最大+20V，瞬态时±30V。 - 功率损耗（PC）在25°C时最大150W。

功能详解： - 这些IGBTs设计用于低导通和开关损耗，具有高功率密度和低门极驱动需求。

应用信息： - 适用于功率逆变器、不间断电源（UPS）、电机驱动、开关电源（SMPS）、功率因数校正（PFC）电路、电池充电器、焊接机、灯具镇流器等。

封装信息： - 提供TO-263AA（IXGA）和TO-220AB（IXGP）两种封装类型。