IXGH32N60CD1

1. 物料型号：IXGH 32N60CD1 和 IXGT 32N60CD1 2. 器件简介：文档中提到了HiPerFAST IGBT with Diode，属于Light Speed Series，提供了高速开关性能。 3. 引脚分配：TO-247 AD (IXGH) 和 TO-268 (D3) (IXGT) 的封装类型，引脚包括Gate (G), Collector (C), 和 Emitter (E)。 4. 参数特性：文档列出了详细的电气特性，包括但不限于： - 集电极-发射极饱和电压 VCE(SAT)：典型值 2.1V - 集电极电流 I_C25：25°C时为60A - 栅极-发射极电压 V_GES：连续工作时±20V，瞬态工作时±30V - 存储和工作温度范围：-55°C 至 +150°C - 最大焊接温度：300°C 5. 功能详解：文档提供了IGBT的功能描述，包括其高速开关能力、高功率密度和高频率应用的适用性。 6. 应用信息：适用于不间断电源(UPS)、开关型和共振型电源、交流电机速度控制、直流伺服和机器人驱动、直流斩波器等。 7. 封装信息：提供了TO-247 AD和TO-268的封装尺寸和引脚布局。

此外，文档还包含了一些图表，如输出特性、扩展输出特性、高温输出特性、VCE(sat)的温度依赖性、电容曲线、EON和EOFF与IC和RG的依赖性、栅极电荷、关断安全工作区、瞬态热阻、正向电流与电压的关系、反向恢复电荷与diF/dt的关系等。