IXGN50N60B

物料型号：IXGN 50N60B 器件简介：这是HiPerFAST系列的IGBT，具有高功率散失能力，3000V的隔离电压，高电流快速开关能力，低导通电压降，MOS门驱动简单，低集电极到外壳电容和低封装电感。

引脚分配：G代表门极(Gate)，C代表集电极(Collector)，E代表发射极(Emitter)，两个发射极端子可以作为主发射极或Kelvin发射极。

参数特性： - 集电极-发射极电压(VCES)：600V - 集电极电流(IC25)：75A - 门极-发射极电压(VGE(sat))：2.3V - 门极-发射极电压(VGE(th))：2.5V至5V - 存储时间(tfi(typ))：120ns - 集电极到外壳电容(Cles)：4100pF - 集电极-发射极饱和电压(VCE(sat))：2.3V

功能详解： - 国际标准封装SOT-227B - 铝氮化物隔离 - 易于安装的2螺丝设计 - 节省空间，高功率密度

应用信息： - 交流电机速度控制 - 直流伺服和机器人驱动 - 直流斩波器 - 不间断电源(UPS) - 开关模式和共振模式电源

封装信息： - 封装类型：SOT-227B miniBLOC - 螺丝规格：M4 - 尺寸数据：提供了详细的最小和最大尺寸，以毫米和英寸为单位

图表部分包含了饱和电压特性、输出特性、温度依赖性、电容特性、导通和关断能量以及IGBT瞬态热阻抗等的图表。