IXGN80N60A2D1

物料型号：IGBT，型号 IXGN 80N60A2 和 IXGN 80N60A2D1。

器件简介：这些 IGBT 被优化用于最高 5 kHz 的开关应用。

引脚分配：符号 G 代表门极（Gate），C 代表集电极（Collector），E 代表发射极（Emitter），并且任一发射极端子都可以用作主发射极或 Kelvin 发射极。

参数特性：包括 VCES（集电极-发射极电压）为 600V，IC25（25°C 下的集电极电流）为 160A，VCE(sat)（饱和电压）为 1.35V 等。

功能详解：包括低 VCE(sat) 以减少导通状态下的损耗，MOS 门极驱动简单，低集电极至外壳电容（<50pF），低封装电感（<5nH）等。

应用信息：适用于交流电机速度控制、直流伺服和机器人驱动等。

封装信息：采用国际标准封装 miniBLOC，UL 认证，具有高功率耗散的氮化铝隔离，隔离电压高达 3000V。

特性值表格提供了在 25°C 环境下，除非另有说明，的最小值、典型值和最大值。还提供了反向二极管（FRED）的特性值。