IXGP50N33TBM-A

物料型号：IXGP50N33TBM-A

器件简介：这是一个用于等离子显示屏(PDP)应用的IGBT器件，具有快速开关、低VCE(sat)特性，以减少导通状态下的损耗。

引脚分配：1 - Gate（栅极），2 - Collector（集电极），3 - Emitter（发射极）

参数特性： - V_CE(S)：330V - I_CP：200A - V_GE(th)：3.0V 至 5.0V - C_E(S)(RMS)：75A - P：50W - 工作温度范围：-55°C 至 +150°C - 存储温度范围：-55°C 至 +150°C - 封装信息：OVERMOLDED TO-220 W/ FORMED LEAD (IXGP...M-A)

功能详解： - 该IGBT器件具有塑料包覆的引脚，以实现电气隔离。 - 低VCE(sat)有助于减少导通状态下的损耗。 - 快速开关特性适用于需要快速切换的应用。

应用信息： - 等离子显示屏(PDP)系统 - 电容性负载电路 - 开关电源供应

封装信息：OVERMOLDED TO-220 W/ FORMED LEAD (IXGP...M-A)，其中C代表Collector，E代表Emitter，G代表Gate，TAB表示隔离的标签。