IXGQ170N30PB

物料型号：IXGQ170N30PB

器件简介： - 该IGBT是为等离子显示屏驱动器设计的高速IGBT。 - 具有国际标准封装。 - 低VCE(sat)，以减少导通状态下的损耗。 - MOS门极驱动，简化了驱动。

引脚分配： - G：栅极 - C：集电极 - E：发射极 - TAB：集电极

参数特性： - 集电极-发射极电压（VCES）：最大300V - 栅极-发射极电压（VGEM）：+30V - 集电极电流（IC）：最大170A - 集电极-发射极饱和电压（VCE(sat)）：≤1.70V - 栅极电荷（Qg）：143nC - 门极电荷（Qge）：26nC - 栅极-集电极电荷（Qgc）：60nC

功能详解： - 该IGBT具有低导通压降和快速开关特性，适用于高效率和高功率密度的应用。 - 提供了详细的电气特性图表，包括输出特性、扩展输出特性、VCE(sat)与结温的关系、输入导纳、跨导、电阻性导通上升时间与结温的关系等。

应用信息： - 主要应用于PDP屏幕驱动器。

封装信息： - TO-3P（IXTQ）封装，具有详细的尺寸参数。

注意事项： - 文档中提到产品处于开发阶段，技术规格可能会有所变化。 - 提供了脉冲测试条件和最大热阻的图表。