IXGQ35N120BD1

1. 物料型号：IXGQ 35N120BD1 2. 器件简介：这是一个高电压IGBT，带有配套的二极管，适用于谐振电源、感应加热、电饭锅等应用。 3. 引脚分配：G（栅极）、C（发射极）、E（集电极）、TAB（发射极，用于TO-3P封装）。 4. 参数特性： - 集电极-发射极电压（VCES）最大1200V - 栅极-发射极电压（VGES）连续工作时±20V，瞬态±30V - 集电极电流（IC25）在25°C时为75A，110°C时为35A - 门极电荷（Qg）在15V时为140nC - 饱和压降（CE(sat)）在35A和15V时为2.7V至3.3V 5. 功能详解：包括门极电荷、存储时间、导通电阻等参数的详细描述。 6. 应用信息：适用于需要高电压和高电流的应用，如感应加热和电饭锅。 7. 封装信息：TO-3P (IXGQ)封装，提供了详细的封装尺寸和引脚布局。