IXSN80N60AU1

物料型号：IXSN 80N60AU1 器件简介：该器件为IXYS生产的IGBT，带有续流二极管，封装为miniBLOC, SOT-227 B。

引脚分配：E（发射极）、C（集电极）、G（栅极）、E（发射极），两个发射极端口可以作为主发射极或凯尔文发射极。

参数特性： - 集电极-发射极饱和电压（VCE(sat)）：3V - 集电极-发射极击穿电压（VCES）：600V - 集电极电流（IC25）：25°C时为160A - 门-发射极电压（VGE）：连续工作时为20V，瞬态工作时为30V - 存储温度：-55°C至150°C - 工作温度：-55°C至150°C - 封装引脚扭矩：1.5 Nm/13 lb.in. 功能详解：该IGBT具有低VCE(sat)以减少导通损耗，快速恢复外延二极管以减少开关损耗，低集电极到外壳电容以减少射频干扰，低封装电感以便于驱动和保护。

应用信息：适用于交流电机速度控制、直流伺服和机器人驱动、直流斩波器、不间断电源（UPS）、开关模式和共振模式电源供应。

封装信息：miniBLOC标准封装，铝氮化物隔离，高功率耗散，隔离电压3000V，UL注册E 153432。