IXTH30N50

1. 物料型号：IXTH 30N50 2. 器件简介： - 这是一个N-Channel Enhancement Mode MOSFET。 - 具有低导通电阻（RDS(on) = 0.17Ω）和高电流承载能力（ID(cont) = 30A）。 - 封装类型为TO-247 AD。 3. 引脚分配： - G：Gate（栅极） - D：Drain（漏极） - S：Source（源极） - TAB：Drain（漏极，用于散热） 4. 参数特性： - 最大电压（V_DSS）：500V - 栅极电压（V_GS）：+20V（连续）/ ±30V（瞬态） - 漏极电流（ID）：30A（连续）/ 120A（脉冲） - 功率耗散（P_D）：360W - 工作温度范围：-55°C 至 +150°C 5. 功能详解： - 该器件适用于开关模式和共振模式的电源供应、电机控制、不间断电源（UPS）和直流斩波器。 - 具有快速开关时间和坚固的多晶硅栅极结构。 6. 应用信息： - 易于安装，具有1个螺丝孔（TO-247），并且具有隔离的安装螺丝孔。 - 节省空间，高功率密度。 7. 封装信息： - 封装类型：TO-247 AD - 引脚定义：1 - Gate，3 - Source，2 - Drain，Tab - Drain - 封装尺寸和特性值详细列出了不同尺寸的最小值和最大值。