IXTK120N25

物料型号：IXTK 120N25 器件简介：IXTK 120N25 是一款高电流 MegaMOSTMFET，采用 IXYS 的 HDMOSTM 工艺制造，具有低导通电阻和坚固的多晶硅栅极结构。

引脚分配：G（栅极）、D（漏极）、S（源极）、Tab（漏极） 参数特性：漏源电压 VDSS 最高 250V，连续漏极电流 ID 25 最高 120A，导通电阻 RDS(on) 最低 20mΩ，适用于 25°C 至 150°C 的温度范围。

功能详解：该器件为 N-Channel Enhancement Mode，适用于电机控制、直流斩波器和开关电源等应用。

应用信息：适用于高功率密度和快速开关的应用场景，如电机控制、直流斩波器和开关电源。

封装信息：采用 TO-264 AA（IXTK）封装，具有国际标准封装尺寸和引脚配置。

以上信息摘自提供的PDF文档，详细描述了 IXTK 120N25 器件的电气特性、热特性、电容特性、最大瞬态热阻等参数。