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3EZ120D5

3EZ120D5

  • 厂商:

    JGD

  • 封装:

  • 描述:

    3EZ120D5 - 3W SILICON ZENER DIODE - Jinan Gude Electronic Device

  • 详情介绍
  • 数据手册
  • 价格&库存
3EZ120D5 数据手册
3EZ120D5
1. 物料型号: - 型号范围从3EZ3.9D5至3EZ200D5,这些是硅齐纳二极管的型号。

2. 器件简介: - 这些器件是硅齐纳二极管,电压范围从3.9到200伏特。 - 特点包括:齐纳电压从3.3V至200V、高浪涌电流额定值、在通常为1W的封装中具有3W的耗散能力。 - 机械特性包括:模塑封装、轴向引脚封装、耐腐蚀、引脚可焊。 - 热阻为45℃C/Watt(结到引脚在距离本体0.375英寸处)。 - 极性为带端为阴极。 - 重量约为0.4克。

3. 引脚分配: - 极性标识为带端为阴极,即带色环的一端。

4. 参数特性: - 最大直流功率耗散为3瓦特。 - 功率降额为20mW/℃C,超过25℃。 - 正向电压在200mA时为1.2伏特。 - 电气特性在25℃下,包括不同型号的标称电压、最大阻抗、最大反向漏电流、最大齐纳电流和最大浪涌电流。

5. 功能详解: - 这些器件主要用于电压稳定,具有高浪涌电流能力,能够在较小的封装中耗散较大的功率。

6. 应用信息: - 应用可能包括电源、电压稳定、保护电路等需要电压钳位的应用。

7. 封装信息: - 封装类型为DO-41,这是一种轴向引脚的小型封装。
3EZ120D5 价格&库存

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