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创作活动
3EZ170D5

3EZ170D5

  • 厂商:

    JGD

  • 封装:

  • 描述:

    3EZ170D5 - 3W SILICON ZENER DIODE - Jinan Gude Electronic Device

  • 详情介绍
  • 数据手册
  • 价格&库存
3EZ170D5 数据手册
3EZ170D5
### 物料型号: - 型号范围从3EZ3.9D5至3EZ200D5,覆盖了3.9至200伏特的电压范围。

### 器件简介: - 这些是硅齐纳二极管,具有不同的电压等级和电气特性,用于电压稳定和过压保护。

### 引脚分配: - 器件采用DO-41封装,轴向引脚设计,带有标识的一端是阴极。

### 参数特性: - 最大直流功耗:3瓦特 - 功耗降额:在25℃以上,每增加1℃减少20毫瓦的功耗 - 正向电压:在200毫安电流下测量,例如3EZ3.9D6型号为4.5伏特 - 最大反向漏电流:不同型号有所不同,例如3EZ3.9D6型号为400微安 - 最大齐纳电流:不同型号有所不同,例如3EZ3.9D6型号为1.0毫安 - 最大浪涌电流:不同型号有所不同,例如3EZ3.9D6型号为630毫安

### 功能详解: - 这些二极管具有高浪涌电流额定值和3瓦特的耗散能力,通常封装在1瓦特的封装中,提供过压保护。

### 应用信息: - 适用于需要电压稳定和过压保护的应用,如电源、电路保护等。

### 封装信息: - 封装类型:DO-41,塑封轴向引脚封装 - 表面处理:耐腐蚀,引脚可焊 - 热阻:从结到引脚的热阻为45℃C/瓦特,距离封装体0.375英寸 - 极性:带标识的一端为阴极 - 重量:典型重量为0.4克
3EZ170D5 价格&库存

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