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创作活动
3EZ19D5

3EZ19D5

  • 厂商:

    JGD

  • 封装:

  • 描述:

    3EZ19D5 - 3W SILICON ZENER DIODE - Jinan Gude Electronic Device

  • 详情介绍
  • 数据手册
  • 价格&库存
3EZ19D5 数据手册
3EZ19D5
物料型号: - 型号范围从3EZ3.9D5至3EZ200D5。

器件简介: - 这些是3W功率的硅齐纳二极管,电压范围从3.9到200伏特。 - 特点包括DO-41封装、轴向引脚、高浪涌电流额定值、3瓦特耗散在通常1瓦特的封装中。

引脚分配: - 带有色环的一端是阴极。

参数特性: - 机械特性:模塑封装,轴向引脚封装,耐腐蚀,引脚可焊。 - 热阻:45℃C/Watt(结到引脚在距离本体0.375英寸处)。 - 最大额定值:直流功率耗散3瓦特,功率降额20mW/℃C超过25℃。 - 电气特性:在25℃下,正向电压@200mA为1.2伏特。

功能详解: - 提供了详细的电气特性表,包括名义电压、最大阻抗、最大反向漏电流、最大齐纳电流和最大浪涌电流。

应用信息: - 这些二极管适用于需要高浪涌电流额定值和较高功率耗散的应用。

封装信息: - 封装类型为DO-41,这是一种轴向引脚封装。
3EZ19D5 价格&库存

很抱歉,暂时无法提供与“3EZ19D5”相匹配的价格&库存,您可以联系我们找货

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