物料型号:
- 型号范围从3EZ3.9D5至3EZ200D5。
器件简介:
- 这些是3W功率的硅齐纳二极管,电压范围从3.9到200伏特。
- 特点包括DO-41封装、轴向引脚、高浪涌电流额定值、3瓦特耗散在通常1瓦特的封装中。
引脚分配:
- 带有色环的一端是阴极。
参数特性:
- 机械特性:模塑封装,轴向引脚封装,耐腐蚀,引脚可焊。
- 热阻:45℃C/Watt(结到引脚在距离本体0.375英寸处)。
- 最大额定值:直流功率耗散3瓦特,功率降额20mW/℃C超过25℃。
- 电气特性:在25℃下,正向电压@200mA为1.2伏特。
功能详解:
- 提供了详细的电气特性表,包括名义电压、最大阻抗、最大反向漏电流、最大齐纳电流和最大浪涌电流。
应用信息:
- 这些二极管适用于需要高浪涌电流额定值和较高功率耗散的应用。
封装信息:
- 封装类型为DO-41,这是一种轴向引脚封装。