3EZ4.7D5

1. 物料型号： - 3EZ3.9D5至3EZ200D5，表示不同电压等级的3W硅整流二极管。

2. 器件简介： - 这些器件是3W硅整流二极管，电压范围从3.9到200伏特，具有高浪涌电流额定值，能在通常为1W的封装中耗散3W的功率。

3. 引脚分配： - 器件采用轴向引脚封装，带环端为阴极。

4. 参数特性： - 工作温度范围：25℃ - 最大直流功率耗散：3瓦特 - 功率降额：20mW/℃C，超过25℃ - 正向电压@200mA：1.2伏特

5. 功能详解： - 这些二极管具有不同的额定电压，最大阻抗，最大反向漏电流，最大齐纳电流和最大浪涌电流。具体数值见下表：

| 类型编号 | 额定电压 | 最大阻抗 | 最大反向漏电流 | 最大齐纳电流 | 最大浪涌电流 | | --- | --- | --- | --- | --- | --- | | 3EZ3.9D6 | 3.9V | 4.5Ω | 400μA | 1.0mA | 630mA | | 3EZ4.3D6 | 4.3V | 3.4Ω | 400μA | 30μA | 590mA | | ... | ... | ... | ... | ... | ... |

6. 应用信息： - 这些二极管适用于需要高浪涌电流和高功率耗散的应用场合。

7. 封装信息： - 封装类型：DO-41，轴向引脚封装。 - 封装材料：模塑封装，耐腐蚀。 - 引脚可焊性：良好。 - 热阻：45℃C/Watt，从结到引脚在距离本体0.375英寸处。