3EZ51D5

物料型号： - 型号系列：3EZ3.9D5 至 3EZ200D5

器件简介： - 这些是3W硅齐纳二极管，电压范围从3.9到200伏特。 - 特点包括：齐纳电压3.3V至200V、高浪涌电流等级、在通常1W的封装中具有3W的耗散能力。

引脚分配： - 封装形式为DO-41，轴向引脚封装。 - 极性：带环的一端是阴极。

参数特性： - 机械特性：模塑封装，轴向引脚封装，耐腐蚀，引脚可焊。 - 热阻：从结到引脚的热阻为45℃C/Watt，距离封装体0.375英寸。 - 重量：大约0.4克。

功能详解： - 最大额定值：在常温下直流功率耗散为3瓦特，功率降额为20mW/℃C超过25℃。 - 正向电压@200mA：1.2伏特。 - 电气特性@25℃：包括齐纳电压、最大阻抗、最大反向漏电流、最大齐纳电流和最大浪涌电流。

应用信息： - 这些齐纳二极管适用于需要高浪涌电流和高功率耗散的应用场合。

封装信息： - 封装类型：DO-41，轴向引脚封装。 - 尺寸：所有尺寸以英寸为单位。