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创作活动
3EZ6.2D5

3EZ6.2D5

  • 厂商:

    JGD

  • 封装:

  • 描述:

    3EZ6.2D5 - 3W SILICON ZENER DIODE - Jinan Gude Electronic Device

  • 详情介绍
  • 数据手册
  • 价格&库存
3EZ6.2D5 数据手册
3EZ6.2D5
1. 物料型号: - 型号范围从3EZ3.9D5至3EZ200D5,这些是硅齐纳二极管的型号,电压范围从3.9伏特至200伏特。

2. 器件简介: - 这些器件是硅齐纳二极管,具有3W的耗散能力,通常封装在1W的封装内。它们具有高浪涌电流额定值,并且封装为轴向引脚的模塑封装。

3. 引脚分配: - 根据文档中的极性说明,带环的一端是阴极。

4. 参数特性: - 包括齐纳电压(3.3V至200V)、最大阻抗(从几欧姆到几千欧姆)、最大反向漏电流(从几微安到几毫安)、最大齐纳电流(从1mA到几安培)、最大浪涌电流(从几安培到几十安培)。

5. 功能详解应用信息: - 这些齐纳二极管主要用于电压稳定和浪涌保护。它们能够在不超过其最大耗散能力的情况下,承受高浪涌电流。

6. 封装信息: - 封装类型为DO-41,这是一种轴向引脚的模塑封装。封装耐腐蚀,引脚可焊。
3EZ6.2D5 价格&库存

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