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BAT54C-G

BAT54C-G

  • 厂商:

    JIANGSU(长晶)

  • 封装:

    SOT23-3

  • 描述:

    BAT54C-G

  • 详情介绍
  • 数据手册
  • 价格&库存
BAT54C-G 数据手册
JIANGSU CHANGJIANG ELECTRONICS TECHNOLOGY CO., LTD SOT-23 Plastic-Encapsulate Diodes BAT54/A/C/S SCHOTTKY BARRIER DIODE SOT-23 FEATURES Extremely Fast Switching Speed z MARKING: BAT54 BAT54A BAT54C BAT54S Solid dot = Green molding compound device,if none, the normal device. MAXIMUM RATINGS ( Ta=25℃ unless otherwise noted ) Parameter Symbol Peak Repetitive Reverse Voltage VRRM Working Peak Reverse Voltage VRWM Value Unit 30 V DC Blocking Voltage VR Forward Continuous Current IFM 200 mA Non-repetitive Peak Forward Surge Current @ t=8.3ms IFSM 600 mA Repetitive Peak Forward Current @ t≤1s,δ≤0.5 IFRM 300 mA Power Dissipation PD 200 mW RΘJA 500 ℃/W Junction Temperature Tj 125 ℃ Storage Temperature Tstg -55~+150 ℃ Thermal Resistance from Junction to Ambient ELECTRICAL CHARACTERISTICS(Ta=25℃ unless otherwise specified) Parameter Reverse voltage Forward voltage Symbol Min V(BR) 30 Typ VF Max Unit Test conditions V IR=100μA 0.24 V IF1=0.1mA 0.32 V IF2=1mA 0.40 V IF3=10mA 0.50 V IF4=30mA 1 V IF5=100mA Reverse current IR 2 μA VR=25V Diode capacitance CD 10 pF VR=1V,f=1MHz Reverse recovery time trr 5 ns www.cj-elec.com 1 IF=IR=10mA Irr=0.1×IR,RL=100Ω F,Mar,2016 Typical Characteristics Forward Characteristics Reverse 300 200 Characteristics 100 100 (uA) REVERSE CURRENT IR FORWARD CURRENT T= a 2 5 o C IF T 10 a =1 00 o C (mA) o Ta=100 C 1 0.1 0.01 10 1 o Ta=25 C 0.1 0.01 0 200 400 600 FORWARD VOLTAGE 800 VF 0 1000 (mV) 5 10 15 20 REVERSE VOLTAGE 25 VR 30 (V) Power Derating Curve Capacitance Characteristics 20 250 (mW) f=1MHz 200 PD 16 12 POWER DISSIPATION CAPACITANCE BETWEEN TERMINALS CT (pF) Ta=25℃ 8 4 0 150 100 50 0 0 5 10 15 REVERSE VOLTAGE www.cj-elec.com 20 VR 25 30 0 25 50 75 AMBIENT TEMPERATURE (V) 2 100 Ta 125 (℃) F,Mar,2016 SOT-23 Package Outline Dimensions Symbol A A1 A2 b c D E E1 e e1 L L1 θ Dimensions In Millimeters Min Max 0.900 1.150 0.000 0.100 0.900 1.050 0.300 0.500 0.080 0.150 2.800 3.000 1.200 1.400 2.250 2.550 0.950 TYP 1.800 2.000 0.550 REF 0.300 0.500 0° 8° Dimensions In Inches Min Max 0.035 0.045 0.000 0.004 0.035 0.041 0.012 0.020 0.003 0.006 0.110 0.118 0.047 0.055 0.089 0.100 0.037 TYP 0.071 0.079 0.022 REF 0.012 0.020 0° 8° SOT-23 Suggested Pad Layout www.cj-elec.com 3 F,Mar,2016 A,Jun,2014 SOT-23 Tape and Reel www.cj-elec.com 4 F,Mar,2016 A,Jun,2014
BAT54C-G
1. 物料型号:BAT54/A/C/S,表示有四种型号的肖特基二极管。 2. 器件简介:文档描述了SCHOTTKY BARRIER DIODE,即肖特基势垒二极管,具有极快的开关速度。 3. 引脚分配:文档没有明确说明引脚分配,但提到了SOT-23封装。 4. 参数特性: - 最大重复峰值反向电压 (VRRM):30V - 正向连续电流 (IFM):200mA - 非重复峰值正向浪涌电流 (IFSM):600mA - 重复峰值正向电流 (IFRM):300mA - 功率耗散 (Po):200mW - 热阻 (ROJA):500°C/W - 结温 (Tj):125℃ - 存储温度 (Tstg):-55℃至+150℃ 5. 功能详解:文档提供了正向特性和反向特性的图表,显示了不同工作条件下的电压-电流曲线。 6. 应用信息:文档没有明确提供应用信息,但通常肖特基二极管用于高速开关电路和整流电路。 7. 封装信息:文档提供了SOT-23封装的外形尺寸和建议的焊盘布局。
BAT54C-G 价格&库存

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