JMTK060N06A

厂商：
JIEJIE(捷捷微电)
封装：
TO252
描述：
类型:N沟道;漏源电压(Vdss):60V;连续漏极电流(Id):120A;功率(Pd):181W;导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):4.5mΩ@10V,30A;

数据手册：

JMTK060N06A 数据手册

JMTK060N06A Description JMT N-channel Enhancement Mode Power MOSFET Features Application  60V, 120A RDS(ON)

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