1. 物料型号:
- 型号为1N5221至1N5281,这是一系列0.5W硅平面齐纳二极管,封装为DO-35。
2. 器件简介:
- 这些器件是标准齐纳电压公差为+20%的齐纳二极管。如果需要+10%的公差,可以在型号后加“A”;如果需要+5%的公差,可以加“B”。其他公差和更高齐纳电压可以根据要求定制。
3. 引脚分配:
- 齐纳二极管的极性由色环表示阴极端。
4. 参数特性:
- 器件的绝对最大额定值包括功率耗散Ptot为500mW(在环境温度下,保持与外壳8mm距离时有效),结温TJ为175°C,存储温度范围TSTG为-65至+200°C。
- 电气特性方面,热阻RTHA最大值为0.31 K/mW,正向电压VF在200mA电流下最大值为1.1V。
5. 功能详解和应用信息:
- 这些齐纳二极管具有不同的齐纳电压范围,最大齐纳阻抗、最大反向漏电流、温度系数等参数,适用于需要电压稳定和保护的电路。
6. 封装信息:
- 封装为DO-35玻璃封装,重量约为0.13克。